EL

Fairchild Semiconductor, Электронные компоненты/Транзисторы/Полевые (FETs, MOSFETs) - цена, информация

FDP8440, Транзистор MOSFET N-CH Si 40В 277А [TO-220AB]
FDP8440, Транзистор MOSFET N-CH Si 40В 277А [TO-220AB]
Производитель: Fairchild Semiconductor, FDP8440
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 100
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.0022 Ом/80А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 306
Корпус to-220

Полевой МОП-транзистор PowerTrench® с N-каналом, более 60 А, Fairchild Semiconductor

FDP75N08A, МОП-транзистор, N Канал, 75 А, 75 В, 11 мОм, 10 В, 4 В, [TO-220]
FDP75N08A, МОП-транзистор, N Канал, 75 А, 75 В, 11 мОм, 10 В, 4 В, [TO-220]
Производитель: Fairchild Semiconductor, FDP75N08A
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 75
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 75
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.011 Ом/37.5a, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 137
Крутизна характеристики, S 15
Корпус to-220

N-канальный МОП-транзистор UniFET ™, Fairchild Semiconductor МОП-транзистор UniFET ™ - это семейство высоковольтных МОП-тран…

FDP150N10, Транзистор N-канал 100В 57А [TO220]
FDP150N10, Транзистор N-канал 100В 57А [TO220]
Производитель: Fairchild Semiconductor, FDP150N10
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 57
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.015 Ом/49А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 110
Крутизна характеристики, S 156
Корпус to-220

N-канал 100V 57A (Tc) 110W (Tc) сквозное отверстие TO-220-3

FDP100N10, Транзистор, PowerTrench, N-канал 100В 75А 10мОм [TO220]
FDP100N10, Транзистор, PowerTrench, N-канал 100В 75А 10мОм [TO220]
Производитель: Fairchild Semiconductor, FDP100N10
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 75
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.01 Ом/75А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 208
Крутизна характеристики, S 110
Корпус to-220

МОП-транзистор 100V N-Channel PowerTrench

FDP047N10, Транзистор, PowerTrench, N-канал, 100В, 164А, 4.7мОм [TO220]
FDP047N10, Транзистор, PowerTrench, N-канал, 100В, 164А, 4.7мОм [TO220]
Производитель: Fairchild Semiconductor, FDP047N10
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 164
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.0047 Ом/75А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 375
Крутизна характеристики, S 170
Корпус to-220

МОП-транзистор 100V N-Channel PowerTrench

FDN337N, Транзистор, N-канал, 30В, 2.2А, 0.054 Ом [SOT-23-3]
FDN337N, Транзистор, N-канал, 30В, 2.2А, 0.054 Ом [SOT-23-3]
Производитель: Fairchild Semiconductor, FDN337N
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 2.2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.065 Ом/2.2А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0.5
Крутизна характеристики, S 13
Корпус SuperSOT-3/SOT-23-3

FDN337N является N-канальным полевым транзистором уровня логики с режимом обогащения в корпусе SOT-23 от компании Fairchild. Этот транзистор прои…

FDMC8884, МОП-транзистор, N Канал, 15 А, 30 В, 0.016 Ом, 10 В, 1.9 В [MLP-3.3x3.3]
FDMC8884, МОП-транзистор, N Канал, 15 А, 30 В, 0.016 Ом, 10 В, 1.9 В [MLP-3.3x3.3]
Производитель: Fairchild Semiconductor, FDMC8884
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 15
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.019 Ом/9А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 18
Крутизна характеристики, S 24
Корпус MLP-8(3.3X3.3)

FDMA291P, Транзистор, PowerTrench, P-канал, -20В, -6.6А [MicroFET 2x2]
FDMA291P, Транзистор, PowerTrench, P-канал, -20В, -6.6А [MicroFET 2x2]
Производитель: Fairchild Semiconductor, FDMA291P
Структура p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 6.6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.042 Ом/6.6А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2.4
Крутизна характеристики, S 16
Корпус MicroFET-6(2X2)

FDMA291P представляет собой одиночный P-канальный MOSFET с напряжением 1,8 В, изготовленный с использованием технологии PowerTrench® компании Fa…

FDD5614P, Транзистор
FDD5614P, Транзистор
Производитель: Fairchild Semiconductor, FDD5614P

МОП-транзисторы PowerTrench® с P-каналом, Fairchild Semiconductor МОП-транзисторы PowerTrench® - это оптимизированные перекл…

FDC6561AN
FDC6561AN
Производитель: Fairchild Semiconductor