ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FDD5614P, Транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Fairchild Semiconductor
FDD5614P, Транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
FDD5614P, Транзистор
Последняя цена
180 руб.
Сравнить
Описание
МОП-транзисторы PowerTrench® с P-каналом, Fairchild Semiconductor
МОП-транзисторы PowerTrench® - это оптимизированные переключатели мощности, которые обеспечивают повышение эффективности системы и удельной мощности. Они сочетают в себе малый заряд затвора (Qg), малый заряд обратного восстановления (Qrr) и мягкий диод обратного восстановления, что способствует быстрому переключению синхронного выпрямления в источниках питания переменного / постоянного тока.
В новейших полевых МОП-транзисторах PowerTrench® используется экранированный затвор. структура, обеспечивающая баланс заряда. Благодаря использованию этой передовой технологии FOM (показатель качества) этих устройств значительно ниже, чем у предыдущих поколений.
Характеристики мягких диодов полевых МОП-транзисторов PowerTrench® позволяют исключить демпфирующие цепи или заменить полевые МОП-транзисторы с более высоким номинальным напряжением. .
Информация
Производитель
Fairchild Semiconductor
Артикул
FDD5614P
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1766073
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+175 °C
Вес, г
0.66
Максимальный непрерывный ток стока
15 A
Package Type
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
6.22мм
Высота
2.39мм
Количество элементов на ИС
1
Brand
ON Semiconductor
Series
PowerTrench
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
100 мΩ
Pin Count
3
Тип канала
P
Длина
6.73мм
Материал транзистора
Кремний
Transistor Configuration
Одинарный
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Типичный заряд затвора при Vgs
15 нКл при 10 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Maximum Power Dissipation
42 Вт
Maximum Drain Source Voltage
60 В
Channel Mode
Поднятие
Техническая документация
Datasheet FDD5614P , pdf
, 350 КБ
