FDMA291P, Транзистор, PowerTrench, P-канал, -20В, -6.6А [MicroFET 2x2], Fairchild Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 9 руб.

Сравнить

Описание

FDMA291P представляет собой одиночный P-канальный MOSFET с напряжением 1,8 В, изготовленный с использованием технологии PowerTrench® компании Fairchild Semiconductor. Он разработан специально для зарядки аккумуляторов или переключения нагрузки в сотовых телефонах и других сверхпортативных приложениях. Он оснащен полевым МОП-транзистором с низким сопротивлением в открытом состоянии. Корпус MicroFET 2x2 обеспечивает исключительные тепловые характеристики для своего физического размера и хорошо подходит для приложений с линейным режимом.

• Без галогенов

Информация

Производитель

Fairchild Semiconductor

Артикул

FDMA291P

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1766085

Технические параметры

Вес, г

0.5

Структура

p-канал

Максимальное напряжение сток-исток Uси,В

Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А

6.6

Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В

Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)

0.042 Ом/6.6А, 4.5В

Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт

2.4

Крутизна характеристики, S

Корпус

MicroFET-6(2X2)

Пороговое напряжение на затворе

-0.4…-1

Техническая документация

FDMA291P , pdf , 253 КБ
Datasheet FDMA291P , pdf , 256 КБ

FDMA291P, Транзистор, PowerTrench, P-канал, -20В, -6.6А [MicroFET 2x2] - характеристики, поставщики

Последняя цена 9 руб.

Техническая документация