ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FDP100N10, Транзистор, PowerTrench, N-канал 100В 75А 10мОм [TO220] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Fairchild Semiconductor
FDP100N10, Транзистор, PowerTrench, N-канал 100В 75А 10мОм [TO220]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
FDP100N10, Транзистор, PowerTrench, N-канал 100В 75А 10мОм [TO220]
Последняя цена
385 руб.
Сравнить
Описание
МОП-транзистор 100V N-Channel PowerTrench
Информация
Производитель
Fairchild Semiconductor
Артикул
FDP100N10
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1766101
Технические параметры
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
75
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.01 Ом/75А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
208
Крутизна характеристики, S
110
Корпус
to-220
Пороговое напряжение на затворе
2.5…4.5
Техническая документация
FDP100N10 , pdf
, 704 КБ
Datasheet FDP100N10 , pdf
, 716 КБ
Datasheet FDP100N10 , pdf
, 718 КБ