FDP75N08A, МОП-транзистор, N Канал, 75 А, 75 В, 11 мОм, 10 В, 4 В, [TO-220], Fairchild Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 500 руб.

Сравнить

Описание

N-канальный МОП-транзистор UniFET ™, Fairchild Semiconductor
МОП-транзистор UniFET ™ - это семейство высоковольтных МОП-транзисторов Fairchild Semiconductor. Он имеет наименьшее сопротивление в открытом состоянии среди планарных полевых МОП-транзисторов, а также обеспечивает превосходные характеристики переключения и более высокую устойчивость к лавинной энергии. Кроме того, внутренний антистатический диод затвор-исток позволяет MOSFET-транзистору UniFET-II ™ выдерживать импульсное напряжение HBM более 2000 В.
Полевые МОП-транзисторы UniFET ™ подходят для применения в импульсных преобразователях мощности, таких как коррекция коэффициента мощности (PFC), плоские дисплеи (FPD) Питание телевизора, ATX (Advanced Technology eXtended) и электронные балласты для ламп.

Информация

Производитель

Fairchild Semiconductor

Артикул

FDP75N08A

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1766114

Технические параметры

Структура

n-канал

Максимальное напряжение сток-исток Uси,В

Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А

Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)

0.011 Ом/37.5a, 10В

Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт

137

Крутизна характеристики, S

Корпус

to-220

Техническая документация

Datasheet FDP75N08A , pdf , 1273 КБ
Datasheet FDP75N08A , pdf , 1269 КБ
Datasheet , pdf , 1267 КБ

FDP75N08A, МОП-транзистор, N Канал, 75 А, 75 В, 11 мОм, 10 В, 4 В, [TO-220] - характеристики, поставщики

Последняя цена 500 руб.

Техническая документация