BD244C, Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 65 Вт, -6 А, 15 hFE [TO-220AB]
![BD244C, Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 65 Вт, -6 А, 15 hFE [TO-220AB]](/file/p_img/1758731.jpg)
Производитель: Fairchild Semiconductor, BD244C
Структура | pnp |
Корпус | to-220 |
FDD6637, Транзистор, Р-канал 35В 55А [D-PAK / TO-252]
![FDD6637, Транзистор, Р-канал 35В 55А [D-PAK / TO-252]](/file/p_img/1742197.jpg)
Производитель: Fairchild Semiconductor, FDD6637
Структура | p-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 35 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 55 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0116 Ом/14А, 10В |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 57 |
Крутизна характеристики, S | 35 |
Корпус | DPAK(2 Leads+Tab) |
Автомобильный МОП-транзистор с P-каналом, Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor предлагает решения, которые решают…
FDD8447L, Транзистор, N-канал 40В 50А [D-PAK]
![FDD8447L, Транзистор, N-канал 40В 50А [D-PAK]](/file/p_img/1742196.jpg)
Производитель: Fairchild Semiconductor, FDD8447L
Структура | n-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 50 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0085 Ом/14А, 10В |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 44 |
Крутизна характеристики, S | 58 |
Корпус | DPAK(2 Leads+Tab) |
Автомобильный N-канальный МОП-транзистор, Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor предлагает решения, которые решают…
FDN306P, Транзистор, Р-канал 12В 2.6А [SSOT-3]
![FDN306P, Транзистор, Р-канал 12В 2.6А [SSOT-3]](/file/p_img/1742195.jpg)
Производитель: Fairchild Semiconductor, FDN306P
Структура | p-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 12 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.6 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.04 Ом/2.6А, 4.5В |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.5 |
Крутизна характеристики, S | 10 |
Корпус | SuperSOT-3/SOT-23-3 |
MOSFET, P, SMD, SSOT-3; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: P; Voltage, Vds Typ: -12V; Current, Id Cont: -2.6A; Resistance, Rds On: 40mohm…
FDS9945, Транзистор, PowerTrench, 2N-канала 60В 3.5А [SO-8]
![FDS9945, Транзистор, PowerTrench, 2N-канала 60В 3.5А [SO-8]](/file/p_img/1742189.jpg)
Производитель: Fairchild Semiconductor, FDS9945
Структура | n-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.5 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.1 Ом/3.5А, 10В |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
Крутизна характеристики, S | 8.6 |
Корпус | soic-8 |
Полевой МОП-транзистор PowerTrench® с N-каналом, до 9,9 А, Fairchild Semiconductor
FDV301N, Транзистор N-CH 25V 220MA [SOT-23]
![FDV301N, Транзистор N-CH 25V 220MA [SOT-23]](/file/p_img/1742188.jpg)
Производитель: Fairchild Semiconductor, FDV301N
Структура | n-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 25 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.22 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 4 Ом/0.4А, 4.5В |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.35 |
Крутизна характеристики, S | 0.2 |
Корпус | SOT-23-3 |
FDV301N является N-канальным полевым транзистором уровня логики с режимом обогащения в корпусе SOT-23. Устройство оснащено высокой плотностью эле…
HUFA76429D3ST_F085, Транзистор

Производитель: Fairchild Semiconductor, HUFA76429D3ST_F085
МОП-транзистор 20a 60V 0.027 Ohm
FQA13N50CF, Транзистор

Производитель: Fairchild Semiconductor, FQA13N50CF
МОП-транзистор 500V N-Ch C-FET (FRFET)
FDD86250, МОП-транзистор, N Канал, 50 А, 150 В, 0.0184 Ом, 10 В, 2.9 В

Производитель: Fairchild Semiconductor, FDD86250
FDD86250 - это 150-вольтный N-канальный полевой МОП-транзистор PowerTrench® с N-канальным затвором, специально разработанный для минимизации соп…