Fairchild Semiconductor, Электронные компоненты/Транзисторы/Полевые (FETs, MOSFETs) - цена, информация


BD244C, Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 65 Вт, -6 А, 15 hFE [TO-220AB]
BD244C, Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 65 Вт, -6 А, 15 hFE [TO-220AB]
Производитель: Fairchild Semiconductor, BD244C
Структура pnp
Корпус to-220

FDD6637, Транзистор, Р-канал 35В 55А [D-PAK / TO-252]
FDD6637, Транзистор, Р-канал 35В 55А [D-PAK / TO-252]
Производитель: Fairchild Semiconductor, FDD6637
Структура p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 35
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 55
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.0116 Ом/14А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 57
Крутизна характеристики, S 35
Корпус DPAK(2 Leads+Tab)

Автомобильный МОП-транзистор с P-каналом, Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor предлагает решения, которые решают…

FDD8447L, Транзистор, N-канал 40В 50А [D-PAK]
FDD8447L, Транзистор, N-канал 40В 50А [D-PAK]
Производитель: Fairchild Semiconductor, FDD8447L
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 50
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.0085 Ом/14А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 44
Крутизна характеристики, S 58
Корпус DPAK(2 Leads+Tab)

Автомобильный N-канальный МОП-транзистор, Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor предлагает решения, которые решают…

FDN306P, Транзистор, Р-канал 12В 2.6А [SSOT-3]
FDN306P, Транзистор, Р-канал 12В 2.6А [SSOT-3]
Производитель: Fairchild Semiconductor, FDN306P
Структура p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 12
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 2.6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.04 Ом/2.6А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0.5
Крутизна характеристики, S 10
Корпус SuperSOT-3/SOT-23-3

MOSFET, P, SMD, SSOT-3; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: P; Voltage, Vds Typ: -12V; Current, Id Cont: -2.6A; Resistance, Rds On: 40mohm…

FDS9945, Транзистор, PowerTrench, 2N-канала 60В 3.5А [SO-8]
FDS9945, Транзистор, PowerTrench, 2N-канала 60В 3.5А [SO-8]
Производитель: Fairchild Semiconductor, FDS9945
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 3.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.1 Ом/3.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2
Крутизна характеристики, S 8.6
Корпус soic-8

Полевой МОП-транзистор PowerTrench® с N-каналом, до 9,9 А, Fairchild Semiconductor

FDV301N, Транзистор N-CH 25V 220MA [SOT-23]
FDV301N, Транзистор N-CH 25V 220MA [SOT-23]
Производитель: Fairchild Semiconductor, FDV301N
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 25
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 0.22
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 4 Ом/0.4А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0.35
Крутизна характеристики, S 0.2
Корпус SOT-23-3

FDV301N является N-канальным полевым транзистором уровня логики с режимом обогащения в корпусе SOT-23. Устройство оснащено высокой плотностью эле…

HUFA76429D3ST_F085, Транзистор
HUFA76429D3ST_F085, Транзистор
Производитель: Fairchild Semiconductor, HUFA76429D3ST_F085

МОП-транзистор 20a 60V 0.027 Ohm

FQA13N50CF, Транзистор
FQA13N50CF, Транзистор
Производитель: Fairchild Semiconductor, FQA13N50CF

МОП-транзистор 500V N-Ch C-FET (FRFET)

FDD86250, МОП-транзистор, N Канал, 50 А, 150 В, 0.0184 Ом, 10 В, 2.9 В
FDD86250, МОП-транзистор, N Канал, 50 А, 150 В, 0.0184 Ом, 10 В, 2.9 В
Производитель: Fairchild Semiconductor, FDD86250

FDD86250 - это 150-вольтный N-канальный полевой МОП-транзистор PowerTrench® с N-канальным затвором, специально разработанный для минимизации соп…