EL

Fairchild Semiconductor, Электронные компоненты/Транзисторы/Полевые (FETs, MOSFETs) - цена, информация

FQP19N20, Транзистор MOSFET N-CH 200V 19.4A [TO-220]
FQP19N20, Транзистор MOSFET N-CH 200V 19.4A [TO-220]
Производитель: Fairchild Semiconductor, FQP19N20
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 19.44
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.15 Ом/9.7А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 140
Крутизна характеристики, S 14.5
Корпус to-220

• 100% лавинные испытания • Типичный низкий заряд затвора 31 нКл • Типичный низкий уровень Crss 30 пФ

FQB6N80TM
FQB6N80TM
Производитель: Fairchild Semiconductor

FQA28N15, Транзистор MOSFET N-CH 150В 33А [TO-3PN]
FQA28N15, Транзистор MOSFET N-CH 150В 33А [TO-3PN]
Производитель: Fairchild Semiconductor, FQA28N15

FQA28N15 - это 150-вольтовый N-канальный полевой транзистор QFET® с улучшенным режимом. Мощный полевой МОП-транзистор производится с использован…

FDV304P, Транзистор P-CH 25V 460MA [SOT-23]
FDV304P, Транзистор P-CH 25V 460MA [SOT-23]
Производитель: Fairchild Semiconductor, FDV304P
Структура p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 25
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 0.46
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 1.1 Ом/0.5А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0.35
Крутизна характеристики, S 0.8
Корпус SOT-23-3

FDV303P от Fairchild - это цифровой полевой транзистор, устанавливаемый на поверхность, с режимом повышения логического уровня P-канала в корпус…

FDV303N, Транзистор, Digital FET, N-канал 25В 680мА [SOT-23]
FDV303N, Транзистор, Digital FET, N-канал 25В 680мА [SOT-23]
Производитель: Fairchild Semiconductor, FDV303N
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 25
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 0.68
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.45 Ом/0.5А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0.35
Крутизна характеристики, S 1.45
Корпус SOT-23-3

FDV303N является N-канальным полевым транзистором уровня логики с режимом обогащения в корпусе SOT-23. Устройство обладает высокой плотностью эле…

FDT86102LZ, Транзистор MOSFET N-CH 100V 6.6A [SOT-223]
FDT86102LZ, Транзистор MOSFET N-CH 100V 6.6A [SOT-223]
Производитель: Fairchild Semiconductor, FDT86102LZ
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 6.6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.028 Ом/6.6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2.2
Крутизна характеристики, S 26
Корпус SOT-223

Полевой МОП-транзистор PowerTrench® с N-каналом, до 9,9 А, Fairchild Semiconductor

FDS8813NZ, Транзистор MOSFET N-канал 30В 18.5А [SOIC-8]
FDS8813NZ, Транзистор MOSFET N-канал 30В 18.5А [SOIC-8]
Производитель: Fairchild Semiconductor, FDS8813NZ

N-канальный МОП-транзистор PowerTrench®, от 10 А до 19,9 А, Fairchild Semiconductor

FDS6675BZ, МОП-транзистор, P Канал, 11 А, -30 В, 0.0108 Ом, -10 В, -2 В [SO-8]
FDS6675BZ, МОП-транзистор, P Канал, 11 А, -30 В, 0.0108 Ом, -10 В, -2 В [SO-8]
Производитель: Fairchild Semiconductor, FDS6675BZ
Структура P Канал
Корпус soic-8

FDS6675BZ - это полевой МОП-транзистор PowerTrench® с P-каналом на -30 В, специально разработанный для минимизации сопротивления в открытом сост…

FDS4935A, Двойной МОП-транзистор, Двойной P Канал, -7 А, -30 В, 23 мОм, -10 В, -1.6 В [SO-8]
FDS4935A, Двойной МОП-транзистор, Двойной P Канал, -7 А, -30 В, 23 мОм, -10 В, -1.6 В [SO-8]
Производитель: Fairchild Semiconductor, FDS4935A
Структура 2p-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.023 Ом/7А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 1
Крутизна характеристики, S 19
Корпус soic-8

Корпус SO-8

FDPF7N50U
FDPF7N50U
Производитель: Fairchild Semiconductor