FDN337N, Транзистор, N-канал, 30В, 2.2А, 0.054 Ом [SOT-23-3], Fairchild Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 15 руб.

Сравнить

Описание

FDN337N является N-канальным полевым транзистором уровня логики с режимом обогащения в корпусе SOT-23 от компании Fairchild. Этот транзистор производится с использованием запатентованной технологией DMOS высокой плотности элементов. Процесс с очень высокой плотностью специально адаптирован для минимизации сопротивления в активном состоянии для устройств с низким напряжением вроде портативных компьютеров, портативных телефонов, PCMCIA-карт и других схем с автономным питанием, где необходимы быстрое переключение и низкие потери мощности в линии маленьком корпусе поверхностного монтажа.

• Высокая плотность элемента для низкого уровня Rds(on)
• Исключительное сопротивление в активном состоянии и возможность максимального DC
• Напряжение сток-исток (Vds) 30В
• Напряжение затвор-исток ±8В
• Низкое сопротивление в открытом состоянии 365мОм при Vgs 4.5В
• Непрерывный ток стока 2.2А
• Максимальное рассеивание мощности 500мВт
• Диапазон рабочей температуры перехода от -55°C до 150°C

Информация

Производитель

Fairchild Semiconductor

Артикул

FDN337N

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1766092

Технические параметры

Вес, г

0.05

Структура

n-канал

Максимальное напряжение сток-исток Uси,В

Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А

2.2

Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В

Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)

0.065 Ом/2.2А, 4.5В

Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт

0.5

Крутизна характеристики, S

Корпус

SuperSOT-3/SOT-23-3

Техническая документация

FDN337N_Datasheet , pdf , 277 КБ
Datasheet FDN337N , pdf , 296 КБ
Datasheet , pdf , 377 КБ

FDN337N, Транзистор, N-канал, 30В, 2.2А, 0.054 Ом [SOT-23-3] - характеристики, поставщики

Последняя цена 15 руб.

Техническая документация