FDC5614P
Производитель: Fairchild Semiconductor
FDC5614P представляет собой полевой МОП-транзистор PowerTrench® с логическим уровнем P-канала с напряжением -60 В и специально разработан для ми…
FDC3601N, Двойной МОП-транзистор, 2 N Канала, 1 А, 100 В, 500 мОм, 10 В, 2.6 В [SuperSOT-6]
![FDC3601N, Двойной МОП-транзистор, 2 N Канала, 1 А, 100 В, 500 мОм, 10 В, 2.6 В [SuperSOT-6]](/file/p_img/1766044.jpg)
Производитель: Fairchild Semiconductor, FDC3601N
| Структура | 2n-канала |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.5 Ом/1А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.7 |
| Крутизна характеристики, S | 3.6 |
| Корпус | SuperSOT-6/SOT-23-6 |
FDC3601N - это двухканальный МОП-транзистор PowerTrench® на 100 В, специально разработанный для минимизации сопротивления в открытом состоянии и…
FCPF11N60, Nкан 650В 11А TO-220F
Производитель: Fairchild Semiconductor, FCPF11N60
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 11 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.38 Ом/5.5А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 125 |
| Крутизна характеристики, S | 9.7 |
| Корпус | TO-220F |
40 нКл) • Низкая эффективная выходная емкость (Coss.eff = 95 пФ) • 100% лавинные испытания
FCP11N60N, Транзистор, SupreMOS, N-канал, 600В, 10.8А, 0.299Ом [TO220]
![FCP11N60N, Транзистор, SupreMOS, N-канал, 600В, 10.8А, 0.299Ом [TO220]](/file/p_img/1765955.jpg)
Производитель: Fairchild Semiconductor, FCP11N60N
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10.8 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.299 Ом/5.4А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 94 |
| Крутизна характеристики, S | 13.5 |
| Корпус | to-220 |
МОП-транзистор SupreMOS 11A
FCI7N60, Транзистор, SuperFET, N-канал, 600В, 7А, 0.53Ом [TO262]
![FCI7N60, Транзистор, SuperFET, N-канал, 600В, 7А, 0.53Ом [TO262]](/file/p_img/1765953.jpg)
Производитель: Fairchild Semiconductor, FCI7N60
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.6 Ом/3.5А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 83 |
| Крутизна характеристики, S | 6 |
| Корпус | I2PAK |
МОП-транзистор HIGH POWER
FCH35N60, Транзистор, N-канал 600В 35А [TO-247]
![FCH35N60, Транзистор, N-канал 600В 35А [TO-247]](/file/p_img/1765952.jpg)
Производитель: Fairchild Semiconductor, FCH35N60
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 35 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.098 Ом/17.5А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 312 |
| Крутизна характеристики, S | 28.8 |
| Корпус | to-247 |
МОП-транзистор 600V N-Channel SuperFET
FCA16N60N, Транзистор, SupreMOST, N-канал, 600В, 16А, 0.170Ом [TO3P]
![FCA16N60N, Транзистор, SupreMOST, N-канал, 600В, 16А, 0.170Ом [TO3P]](/file/p_img/1765941.jpg)
Производитель: Fairchild Semiconductor, FCA16N60N
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 16 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.199 Ом/8А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 135 |
| Крутизна характеристики, S | 20 |
| Корпус | TO-3PN |
SupreMOS – это семейство 600В MOSFET транзисторов, выполненных по технологии super-junction. Эти транзисторы с сопротивлением открытого канала 16…
BSS138, Транзистор, N-канал 50В 220мА [SOT-23]
![BSS138, Транзистор, N-канал 50В 220мА [SOT-23]](/file/p_img/1759799.jpg)
Производитель: Fairchild Semiconductor, BSS138
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 50 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.22 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 3.5 Ом/0.22А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.36 |
| Крутизна характеристики, S | 0.1 |
| Корпус | SOT-23-3 |
BSS138 является N-канальным полевым транзистором уровня логики с режимом обогащения в корпусе SOT-23. Он предназначен для минимизации сопротивлен…
BF245C, Транзистор N-канал 30В 10мА [TO-92]
![BF245C, Транзистор N-канал 30В 10мА [TO-92]](/file/p_img/1758833.jpg)
Производитель: Fairchild Semiconductor, BF245C
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Корпус | to-92 |