ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FDP8440, Транзистор MOSFET N-CH Si 40В 277А [TO-220AB] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Fairchild Semiconductor
FDP8440, Транзистор MOSFET N-CH Si 40В 277А [TO-220AB]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
FDP8440, Транзистор MOSFET N-CH Si 40В 277А [TO-220AB]
Последняя цена
209 руб.
Сравнить
Описание
Полевой МОП-транзистор PowerTrench® с N-каналом, более 60 А, Fairchild Semiconductor
Информация
Производитель
Fairchild Semiconductor
Артикул
FDP8440
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1766115
Технические параметры
Вес, г
2
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
100
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.0022 Ом/80А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
306
Корпус
to-220
Техническая документация
FDP8440-D , pdf
, 668 КБ
Datasheet FDP8440 , pdf
, 666 КБ
Datasheet , pdf
, 665 КБ