EL

Fairchild Semiconductor, Электронные компоненты/Транзисторы/Полевые (FETs, MOSFETs) - цена, информация

NDS331N, Транзистор MOSFET N-CH 20V 1.3A, [SSOT-3]
NDS331N, Транзистор MOSFET N-CH 20V 1.3A, [SSOT-3]
Производитель: Fairchild Semiconductor, NDS331N
Структура 2n-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 1.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.21 Ом/1.3А, 2.7В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0.5
Крутизна характеристики, S 3.5
Корпус SuperSOT-3/SOT-23-3

Корпус TO236

MTP3055VL, Транзистор MOSFET N-CH 60В 12А [TO-220AB]
MTP3055VL, Транзистор MOSFET N-CH 60В 12А [TO-220AB]
Производитель: Fairchild Semiconductor, MTP3055VL

N-канальный MOSFET в режиме улучшения, Fairchild Semiconductor Полевые транзисторы (FET) в режиме улучшения производятся с и…

MTD3055VL, МОП-транзистор, N Канал, 12 А, 60 В, 0.18 Ом, 5 В, 1.5 В [DPAK]
MTD3055VL, МОП-транзистор, N Канал, 12 А, 60 В, 0.18 Ом, 5 В, 1.5 В [DPAK]
Производитель: Fairchild Semiconductor, MTD3055VL
Структура n-канал
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.18 Ом/6a, 5В

N-канальный MOSFET в режиме улучшения, Fairchild Semiconductor Полевые транзисторы (FET) в режиме улучшения производятся с и…

MMBF5485, Транзистор, RF, N-канал, 25В, 0.01А, (=BF245C), [SOT23]
MMBF5485, Транзистор, RF, N-канал, 25В, 0.01А, (=BF245C), [SOT23]
Производитель: Fairchild Semiconductor, MMBF5485
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 25
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 0.01
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0.225
Корпус SOT-23-3

Корпус TO236

IRFS740B, Транзистор MOSFET N-CH [TO-220F]
IRFS740B, Транзистор MOSFET N-CH [TO-220F]
Производитель: Fairchild Semiconductor, IRFS740B

HUF75344P3, 75A/55V 8 mOm N-транзистор
HUF75344P3, 75A/55V 8 mOm N-транзистор
Производитель: Fairchild Semiconductor, HUF75344P3
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 75
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.008 Ом/75a, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 285
Корпус TO-220AB

Полевой МОП-транзистор UltraFET®, Fairchild Semiconductor МОП-транзистор UItraFET® Trench сочетают в себе характеристики, об…

FQPF16N25C, МОП-транзистор, N Канал, 15.6А, 250В, TO-220F
FQPF16N25C, МОП-транзистор, N Канал, 15.6А, 250В, TO-220F
Производитель: Fairchild Semiconductor, FQPF16N25C
Структура n-канал
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.27 Ом/7.8a, 10В

МОП-транзистор N-CH/250V /16A/QFET

FQP65N06, МОП-транзистор, N Канал, 65 А, 60 В, 16 мОм, 10 В, 4 В [TO-220]
FQP65N06, МОП-транзистор, N Канал, 65 А, 60 В, 16 мОм, 10 В, 4 В [TO-220]
Производитель: Fairchild Semiconductor, FQP65N06
Структура n-канал
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.016 Ом/32.5a, 10В
Корпус to-220

• Низкий заряд затвора • 100% лавинные испытания • Повышенная надежность системы в топологиях PFC и плавной коммутации • Улучшени…

FQP55N10, МОП-транзистор, N Канал, 55 А, 100 В [TO-220AB]
FQP55N10, МОП-транзистор, N Канал, 55 А, 100 В [TO-220AB]
Производитель: Fairchild Semiconductor, FQP55N10
Структура n-канал
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.026 Ом/27.5a, 10В
Корпус to-220

QFET® N-канальный МОП-транзистор, более 31 А, Fairchild Semiconductor Новые планарные МОП-транзисторы QFET® компании Fairchi…

FQP50N06, Транзистор, N-канал 60В 50А [TO-220]
FQP50N06, Транзистор, N-канал 60В 50А [TO-220]
Производитель: Fairchild Semiconductor, FQP50N06
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 50
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.022 Ом/25А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 120
Крутизна характеристики, S 40
Корпус to-220

FQP50N06 является N-канальным, силовым МОП-транзистором QFET® 60В с режимом обогащения и использованием запатентованной и технологии DMOS от комп…