Fairchild Semiconductor, Электронные компоненты/Транзисторы/Полевые (FETs, MOSFETs) - цена, информация


FDD8778, Транзистор
FDD8778, Транзистор
Производитель: Fairchild Semiconductor, FDD8778

FDD8778 - это N-канальный полевой МОП-транзистор, изготовленный по технологии PowerTrench® компании Fairchild Semiconductor. Он был разработан с…

FDC2512, Дискретные приборы
FDC2512, Дискретные приборы
Производитель: Fairchild Semiconductor, FDC2512

Полевой МОП-транзистор PowerTrench® с N-каналом, до 9,9 А, Fairchild Semiconductor

FDN304P, Транзистор
FDN304P, Транзистор
Производитель: Fairchild Semiconductor, FDN304P

FDN304P от Fairchild представляет собой полевой МОП-транзистор PowerTrench с каналом P 1,8 В в корпусе superSOT-3. Этот продукт отличается высок…

HUF76107D3ST, 20A/30V 52 mOm N-L
Производитель: Fairchild Semiconductor, HUF76107D3ST
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.052
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 35
Корпус TO-252AA

HUF76107D3S, 20A/30V 52 mOm N-L
Производитель: Fairchild Semiconductor, HUF76107D3S
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.052
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 35
Корпус TO-252AA

SSS4N60B, Транзистор, N-канал 600В 4А [TO-220FP]
SSS4N60B, Транзистор, N-канал 600В 4А [TO-220FP]
Производитель: Fairchild Semiconductor, SSS4N60B
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 2.5 Ом/2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 100
Крутизна характеристики, S 4.7
Корпус TO-220F

SFS9634, Р-канальный полевой транзистор
SFS9634, Р-канальный полевой транзистор
Производитель: Fairchild Semiconductor, SFS9634
Структура p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 250
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 3.4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 1.3 Ом/1.7А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 33
Корпус TO-220F

RFP70N03
Производитель: Fairchild Semiconductor
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 70
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 150
Корпус TO-220AB

RFD14N05L, Транзистор, N-канал, 50В, 14А, 100мОм [IPAK]
RFD14N05L, Транзистор, N-канал, 50В, 14А, 100мОм [IPAK]
Производитель: Fairchild Semiconductor, RFD14N05L
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 50
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 14
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.1 Ом/14А, 5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 48
Корпус ipak

RFD14N05L от Fairchild - это MSOFET-транзистор со сквозным отверстием, 50 В N канального логического уровня, в корпусе TO-251AA. Транзистор изго…

NDS352AP, Транзистор P-канал 30В 900мА [SSOT3]
NDS352AP, Транзистор P-канал 30В 900мА [SSOT3]
Производитель: Fairchild Semiconductor, NDS352AP

NDS352AP - это силовой полевой транзистор с усилением логического уровня с P-каналом, изготовленный с использованием запатентованной Fairchild т…