FDD8778, Транзистор

Производитель: Fairchild Semiconductor, FDD8778
FDD8778 - это N-канальный полевой МОП-транзистор, изготовленный по технологии PowerTrench® компании Fairchild Semiconductor. Он был разработан с…
FDC2512, Дискретные приборы

Производитель: Fairchild Semiconductor, FDC2512
Полевой МОП-транзистор PowerTrench® с N-каналом, до 9,9 А, Fairchild Semiconductor
FDN304P, Транзистор

Производитель: Fairchild Semiconductor, FDN304P
FDN304P от Fairchild представляет собой полевой МОП-транзистор PowerTrench с каналом P 1,8 В в корпусе superSOT-3. Этот продукт отличается высок…
HUF76107D3ST, 20A/30V 52 mOm N-L
Производитель: Fairchild Semiconductor, HUF76107D3ST
Структура | n-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 20 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.052 |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 35 |
Корпус | TO-252AA |
HUF76107D3S, 20A/30V 52 mOm N-L
Производитель: Fairchild Semiconductor, HUF76107D3S
Структура | n-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 20 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.052 |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 35 |
Корпус | TO-252AA |
SSS4N60B, Транзистор, N-канал 600В 4А [TO-220FP]
![SSS4N60B, Транзистор, N-канал 600В 4А [TO-220FP]](/file/p_img/1793018.jpg)
Производитель: Fairchild Semiconductor, SSS4N60B
Структура | n-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2.5 Ом/2А, 10В |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 100 |
Крутизна характеристики, S | 4.7 |
Корпус | TO-220F |
SFS9634, Р-канальный полевой транзистор

Производитель: Fairchild Semiconductor, SFS9634
Структура | p-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 250 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.4 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.3 Ом/1.7А, 10В |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 33 |
Корпус | TO-220F |
RFP70N03
Производитель: Fairchild Semiconductor
Структура | n-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 70 |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 150 |
Корпус | TO-220AB |
RFD14N05L, Транзистор, N-канал, 50В, 14А, 100мОм [IPAK]
![RFD14N05L, Транзистор, N-канал, 50В, 14А, 100мОм [IPAK]](/file/p_img/1788771.jpg)
Производитель: Fairchild Semiconductor, RFD14N05L
Структура | n-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 50 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 14 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.1 Ом/14А, 5В |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 48 |
Корпус | ipak |
RFD14N05L от Fairchild - это MSOFET-транзистор со сквозным отверстием, 50 В N канального логического уровня, в корпусе TO-251AA. Транзистор изго…
NDS352AP, Транзистор P-канал 30В 900мА [SSOT3]
![NDS352AP, Транзистор P-канал 30В 900мА [SSOT3]](/file/p_img/1784377.jpg)
Производитель: Fairchild Semiconductor, NDS352AP
NDS352AP - это силовой полевой транзистор с усилением логического уровня с P-каналом, изготовленный с использованием запатентованной Fairchild т…