2SK3878STA1.E.S
Производитель: Toshiba
Транзисторы и сборки MOSFETкол-во в упаковке: 200, корпус: TO3PКорпус TO3P
IRF7470PBF
Производитель: Infineon Technologies
Транзисторы и сборки MOSFETкол-во в упаковке: 95, корпус: SOIC8, АБКорпус SO-8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжен…
BSZ0910NDXTMA1
Производитель: Infineon Technologies
Транзисторы и сборки MOSFETкол-во в упаковке: 5000, корпус: PGWISON8, АБBSZ0910ND - представляют собой полумостовую схему из двух…
IRFR5410TRPBF
Производитель: Infineon Technologies
Транзисторы и сборки MOSFETкол-во в упаковке: 2000, корпус: TO252, АБКорпус TO252, Конфигурация и полярность P, Максимальное напря…
IPB60R099CP
Производитель: Infineon Technologies
Транзисторы и сборки MOSFETкол-во в упаковке: 1, корпус: TO263, АБКорпус TO263, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжен…
STW11NK100Z
Производитель: ST Microelectronics
Транзисторы и сборки MOSFETкол-во в упаковке: 30, корпус: TO247MOSFET силовой транзистор - [TO-247-3]; Тип: N; Uси: 1 кВ; Iс(25…
IRF9Z34NPBF
Производитель: Infineon Technologies
Транзисторы и сборки MOSFETкол-во в упаковке: 50, корпус: TO220AB, АБКорпус TO220AB, Конфигурация и полярность P, Максимальное нап…
IRF7501TRPBF
Производитель: Infineon Technologies
Транзисторы и сборки MOSFETкол-во в упаковке: 4000, корпус: MICRO8, АБКорпус MICRO8, Конфигурация и полярность Dual N, Максимально…
STP40NF10
Производитель: ST Microelectronics
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторыкорпус: TO-220AB, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 50 А
IRF2805PBF
Производитель: Infineon Technologies
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 75 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 330 |
| Корпус | TO220AB |
Транзисторы и сборки MOSFETкол-во в упаковке: 50, корпус: TO220AB, АБКорпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное нап…