Транзисторы и сборки MOSFET
кол-во в упаковке: 5000, корпус: PGWISON8, АБ
BSZ0910ND - представляют собой полумостовую схему из двух N-канальных транзисторов. Используемая технология OptiMOS в сочетании с корпусом PQFN размером 3 x 3 мм предлагает оптимизированное решение для DC-DC приложений с критическими требованиями к пространству.
Характеристики:
V DS max: 30 В;
R DS(on) max: 9.5 мОм;
I D max: 25 А;
Q G: 4 нК
Особенности BSZ0910ND:
Корпус: PG-WISON-8
Ультра-низкий заряд затвора Qg;
Симметричный полумост в небольшом корпусе 3 x 3 мм;
Теплоотводящая площадка под корпусом;
Логический уровень управления: 4.5 В;
Низкие потери при переключении;
Высокая частота переключения;
Низкие потери на управление затворами;
Низкая рабочая температура;
Соответствуют RoHS
BSZ0910ND подходит для беспроводных систем зарядки, приводов электродвигателей (мультикоптеров), там, где необходимо получить компактные устройства.
Корпус PGWISON8