ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
2SK3878STA1.E.S - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Toshiba
2SK3878STA1.E.S
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
2SK3878STA1.E.S
Последняя цена
120 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
кол-во в упаковке: 200, корпус: TO3P
Корпус TO3P
Информация
Производитель
Toshiba
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1613345
Технические параметры
Вес, г
6.406
