IRFR5410TRPBF, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 47 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 2000, корпус: TO252, АБ

Корпус TO252, Конфигурация и полярность P, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 13 А, Сопротивление открытого канала (мин) 205 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1613275

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.535

Максимальный непрерывный ток стока

13 A

Максимальное рассеяние мощности

66 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

6.22мм

Высота

2.39мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

205 мОм

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Длина

6.73мм

Серия

HEXFET

Типичное время задержки выключения

45 ns

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Размеры

6.73 x 6.22 x 2.39мм

Материал транзистора

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

15 нс

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

58 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

760 pF @ -25 V

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

13A

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

66W

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

P Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

100V

Vgs - Gate-Source Voltage

4V @ 250uA

Техническая документация

Datasheet IRFR5410, IRFU5410 , pdf , 268 КБ

IRFR5410TRPBF - характеристики, поставщики

Последняя цена 47 руб.

Техническая документация