ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STW11NK100Z - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STW11NK100Z
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
STW11NK100Z
Последняя цена
170 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
кол-во в упаковке: 30, корпус: TO247
MOSFET силовой транзистор - [TO-247-3]; Тип: N; Uси: 1 кВ; Iс(25°C): 8.3 А; Rси(вкл): 1.38 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 113 нКл
Корпус TO-247-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 1 кВ, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 8.3 А, Сопротивление открытого канала (мин) 1.38 Ом
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1613266
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
6.272
Максимальный непрерывный ток стока
8.3 A
Максимальное рассеяние мощности
230 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
5.15мм
Высота
20.15мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
1.38 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
1000 V
Pin Count
3
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Длина
15.75мм
Серия
MDmesh, SuperMESH
Типичное время задержки выключения
98 ns
Тип корпуса
TO-247
Размеры
15.75 x 5.15 x 20.15мм
Материал транзистора
SI
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
27 нс
Производитель
STMicroelectronics
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
113 nC @ 10 V
Типичная входная емкость при Vds
3500 пФ при 25 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Single
ECCN (US)
EAR99
EU RoHS
Compliant with Exemption
Lead Shape
Through Hole
Maximum Continuous Drain Current (A)
8.3
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
1380@10V
Maximum Drain Source Voltage (V)
1000
Maximum Gate Source Voltage (V)
±30
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Maximum Power Dissipation (mW)
230000
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Mounting
Through Hole
Packaging
Tube
Part Status
Active
PCB changed
3
Product Category
Power MOSFET
Standard Package Name
TO-247
Supplier Package
TO-247
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
3500@25V
HTS
8541.10.00.80
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
113@10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC)
113
Typical Fall Time (ns)
55
Typical Rise Time (ns)
18
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
98
Typical Turn-On Delay Time (ns)
27
Automotive
No
Military
No
Package Height
20.15(Max)
Package Length
15.75(Max)
Package Width
5.15(Max)
Tab
Tab
Process Technology
SuperMESH
Техническая документация
CD00003426 , pdf
, 309 КБ
Datasheet STW11NK100Z , pdf
, 295 КБ
