IPB60R099CP, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 280 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 1, корпус: TO263, АБ

Корпус TO263, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 31 А, Сопротивление открытого канала (мин) 99 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1613268

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

1.577

Ширина

9.25 mm

Высота

4.4 mm

Минимальная рабочая температура

55 C

Id - непрерывный ток утечки

31 A

Pd - рассеивание мощности

255 W

Qg - заряд затвора

80 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

90 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

600 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2.5 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

5 ns

Время спада

5 ns

Длина

10 mm

Другие названия товара №

SP000088490 IPB6R99CPXT IPB60R099CPATMA1

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

CoolMOS

Конфигурация

Single

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

CoolMOS CE

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

60 ns

Типичное время задержки при включении

10 ns

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

TO-263-3

Тип

600 V CoolMOS C6 Power Transistor

Техническая документация

Datasheet IPB60R099CP , pdf , 848 КБ

IPB60R099CP - характеристики, поставщики

Последняя цена 280 руб.

Техническая документация