IRF2805PBF, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 120 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220AB, АБ

Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 55 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 75 А, Сопротивление открытого канала (мин) 4.7 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1613196

Технические параметры

Вес, г

2.864

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Package Type

TO-220AB

Transistor Material

Length

10.67mm

Brand

Infineon

Series

HEXFET

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

150 nC

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Mounting Type

Through Hole

Структура

N-канал

Максимальное напряжение сток-исток Uси,В

Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А

Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт

330

Корпус

TO220AB

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

75 A

Maximum Power Dissipation

330 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

4.83mm

Height

16.51mm

Maximum Drain Source Resistance

4.7 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

55 V

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Крутизна характеристики S,А/В

Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В

Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм

4.7

Температура, С

-55…+175

Техническая документация

IRF2805 Datasheet , pdf , 156 КБ
Datasheet , pdf , 265 КБ

IRF2805PBF - характеристики, поставщики

Последняя цена 120 руб.

Техническая документация