ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STP40NF10 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STP40NF10
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
STP40NF10
Последняя цена
120 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
корпус: TO-220AB, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 50 А
N-Channel STripFET ™, STMicroelectronics
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1613200
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+175 °C
Вес, г
2.81
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
50 A
Package Type
TO-220
Максимальное рассеяние мощности
150 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.6мм
Высота
9.15мм
Transistor Material
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Length
10.4мм
Конфигурация транзистора
Одинарный
Brand
STMicroelectronics
Series
STripFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
28 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Typical Gate Charge @ Vgs
46.5 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Maximum Gate Source Voltage
-20 В, +20 В
Mounting Type
Монтаж на плату в отверстия
Длина
10.4мм
Серия
STripFET
Типичное время задержки выключения
54 нс
Тип корпуса
TO-220
Размеры
10.4 x 4.6 x 9.15мм
Материал транзистора
SI
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
21 ns
Производитель
STMicroelectronics
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
46,5 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
2180 пФ при 25 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Maximum Power Dissipation
150 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
9.15mm
Channel Mode
Поднятие
Channel Type
N
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 452 КБ