IRL520NSPBF
Производитель: Infineon Technologies
Транзисторы и сборки MOSFETкол-во в упаковке: 1000, корпус: D2PAK, АБКорпус TO-263-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное на…
STB60NF06T4
Производитель: ST Microelectronics
Транзисторы и сборки MOSFETкол-во в упаковке: 1000, корпус: TO263MOSFET силовой транзистор - [TO-263-2]; Тип: N; Uси: 60 В; Iс(25&…
IRFP4004PBF
Производитель: Infineon Technologies
Транзисторы и сборки MOSFETкол-во в упаковке: 25, корпус: TO247AC, АБКорпус TO247AC, Конфигурация и полярность N, Максимальное нап…
IRF7530TRPBF
Производитель: Infineon Technologies
Транзисторы и сборки MOSFETкол-во в упаковке: 4000, корпус: MICRO8, АБMOSFET; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: Dual N…
STN1NK80Z
Производитель: ST Microelectronics
Транзисторы и сборки MOSFETкол-во в упаковке: 4000, корпус: SOT223MOSFET силовой транзистор - [SOT-223]; Тип: N; Uси: 800 В; Iс(25…
IRLR3114ZPBF
Производитель: Infineon Technologies
Транзисторы и сборки MOSFETкол-во в упаковке: 75, корпус: TO252, АБКорпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряже…
STD5NM50T4
Производитель: ST Microelectronics
Транзисторы и сборки MOSFETкол-во в упаковке: 2500, корпус: TO252MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]; Тип: N; Uси: 500 В; Iс(25…
IRFP4310ZPBF
Производитель: Infineon Technologies
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 120 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 280 |
| Корпус | TO247AC |
Транзисторы и сборки MOSFETкол-во в упаковке: 25, корпус: TO247AC, АБКорпус TO247AC, Конфигурация и полярность N, Максимальное нап…
STP9NK90Z
Производитель: ST Microelectronics
Транзисторы и сборки MOSFETкол-во в упаковке: 50, корпус: TO220ABMOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 900 В; Iс(25…
IRF7504TRPBF
Производитель: Infineon Technologies
Транзисторы и сборки MOSFETкол-во в упаковке: 4000, корпус: MICRO8, АБКорпус MICRO8, Конфигурация и полярность DUAL P, Максимально…