IRF9Z34NPBF, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 38 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220AB, АБ

Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность P, Максимальное напряжение сток-исток 55 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 19 А, Сопротивление открытого канала (мин) 100 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1613263

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Вес, г

2.68

Максимальный непрерывный ток стока

19 А

Максимальное рассеяние мощности

68 Вт

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

4.69мм

Высота

8.77мм

Количество элементов на ИС

Series

HEXFETВ® ->

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

100 мОм

Максимальное напряжение сток-исток

55 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

19A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

P-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

620pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

Power Dissipation (Max)

68W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 10A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220AB

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250ВµA

Длина

10.54мм

Серия

HEXFET

Типичное время задержки выключения

30 нс

Тип корпуса

TO-220AB

Размеры

10.54 x 4.69 x 8.77мм

Материал транзистора

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

13 ns

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

35 nC @ 10 V

Типичная входная емкость при Vds

620 pF@ 25 V

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

19A

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

68W

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

P Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

55V

Vgs - Gate-Source Voltage

4V @ 250uA

Техническая документация

IRF9Z34 datasheet , pdf , 175 КБ
Datasheet IRF9Z34NPBF , pdf , 250 КБ
Datasheet , pdf , 241 КБ

IRF9Z34NPBF - характеристики, поставщики

Последняя цена 38 руб.

Техническая документация