BSL215CH6327XTSA1, Транзистор
Производитель: Infineon Technologies, BSL215CH6327XTSA1
Корпус TSOP-6, Конфигурация и полярность N+P, Максимальное напряжение сток-исток 20 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса…
BSH203,215, Транзистор P-канал 30В 470мА [SOT-23-3]
![BSH203,215, Транзистор P-канал 30В 470мА [SOT-23-3]](/file/p_img/1759729.jpg)
Производитель: Nexperia, BSH203,215
МОП-транзистор с каналом P, Nexperia
BSH201,215, Транзистор MOSFET P-CH 60В 0.3А [SOT-23]
![BSH201,215, Транзистор MOSFET P-CH 60В 0.3А [SOT-23]](/file/p_img/1759728.jpg)
Производитель: Nexperia, BSH201,215
| Структура | p-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.3 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2.5 Ом/0.16А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.417 |
| Крутизна характеристики, S | 0.35 |
| Корпус | SOT-23-3 |
Корпус TO236
BSH108,215, Транзистор MOSFET N-CH 30В 1.9А [SOT-23]
![BSH108,215, Транзистор MOSFET N-CH 30В 1.9А [SOT-23]](/file/p_img/1759727.jpg)
Производитель: Nexperia, BSH108,215
BSH108.215 - это N-канальный полевой транзистор с улучшенным режимом работы в пластиковом корпусе, использующий технологию TrenchMOS ™ 1. Он под…
BSH105,215, Транзистор MOSFET N-CH 20В 1.05А [SOT-23]
![BSH105,215, Транзистор MOSFET N-CH 20В 1.05А [SOT-23]](/file/p_img/1759726.jpg)
Производитель: Nexperia, BSH105,215
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1.05 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.2 Ом/0.6А, 4.5В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.417 |
| Крутизна характеристики, S | 1.6 |
| Корпус | SOT-23-3 |
N-канальный полевой МОП-транзистор, до 30 В, Nexperia
BSH103,215, Транзистор MOSFET N-CH 30В 0.85А [SOT-23-3]
![BSH103,215, Транзистор MOSFET N-CH 30В 0.85А [SOT-23-3]](/file/p_img/1759725.jpg)
Производитель: Nexperia, BSH103,215
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.85 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.4 Ом/0.5А, 4.5В |
| Корпус | SOT-23-3 |
N-канальный полевой МОП-транзистор, до 30 В, Nexperia
BSC350N20NSFDATMA1, Транзистор MOSFET N-канал 200В 35А [TDSON-8 EP]
![BSC350N20NSFDATMA1, Транзистор MOSFET N-канал 200В 35А [TDSON-8 EP]](/file/p_img/1759724.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, BSC350N20NSFDATMA1
BSC350N20NSFDATMA1 от Infineon представляет собой 3 N-канальный силовой МОП-транзистор OptiMOST ™ на 200 В в 8-выводном корпусе TDSON. Этот новы…
BSC340N08NS3GATMA1, Транзистор MOSFET N-CH 80V 23A [TDSON-8 EP]
![BSC340N08NS3GATMA1, Транзистор MOSFET N-CH 80V 23A [TDSON-8 EP]](/file/p_img/1759723.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, BSC340N08NS3GATMA1
Полевые МОП-транзисторы Infineon OptiMOS ™ 3, от 60 до 80 В Продукты OptiMOS ™ доступны в высокопроизводительных пакетах для…
BSC265N10LSFGATMA1, Транзистор MOSFET, N-канал, 100В, 40А, [TDSON-8]
![BSC265N10LSFGATMA1, Транзистор MOSFET, N-канал, 100В, 40А, [TDSON-8]](/file/p_img/1759722.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, BSC265N10LSFGATMA1
Семейство силовых полевых МОП-транзисторов Infineon OptiMOS ™ 2 Infineon, семейство N-каналов OptiMOS ™ 2 …