EL

Транзисторы - Полевые (FETs, MOSFETs) - купить, сравнить

Полевые (FETs, MOSFETs)

BSP322PH6327XTSA1, Транзистор MOSFET P-CH 100В 1A [SOT-223]
BSP322PH6327XTSA1, Транзистор MOSFET P-CH 100В 1A [SOT-223]
Производитель: Infineon Technologies, BSP322PH6327XTSA1

Полевые МОП-транзисторы с P-каналом Infineon SIPMOS® Малые сигнальные МОП-транзисторы с P-каналом SIPMOS ® имеют несколько ф…

BSP317PH6327XTSA1, Транзистор, P-канал, 250В 430мА 4Ом [SOT-223]
BSP317PH6327XTSA1, Транзистор, P-канал, 250В 430мА 4Ом [SOT-223]
Производитель: Infineon Technologies, BSP317PH6327XTSA1
Структура p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 250
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 0.43
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 4 Ом/0.43А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 1.8
Крутизна характеристики, S 0.76
Корпус SOT-223

Полевые МОП-транзисторы с P-каналом Infineon SIPMOS® Малые сигнальные МОП-транзисторы с P-каналом SIPMOS ® имеют несколько ф…

BSP317, P кан 200V 370mA 6om [SOT-223]
BSP317, P кан 200V 370mA 6om [SOT-223]
Производитель: Infineon Technologies, BSP317
Структура p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 0.37
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 6000
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 1.8
Крутизна характеристики, S 350
Корпус SOT-223

BSP295, N кан 50V 1.8A 0.3om SOT223, транзистор
BSP295, N кан 50V 1.8A 0.3om SOT223, транзистор
Производитель: Infineon Technologies, BSP295
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 50
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 1.8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.3 Ом/1.8А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 1.8
Крутизна характеристики, S 1700
Корпус SOT-223

BSP298H6327XUSA1, Транзистор MOSFET N-канал 400В 0.5А [SOT-223]
BSP298H6327XUSA1, Транзистор MOSFET N-канал 400В 0.5А [SOT-223]
Производитель: Infineon Technologies, BSP298H6327XUSA1

BSP250,115, Транзистор Enhancement Mode D-MOS, P-канал, 30В, 3А [SOT-223]
BSP250,115, Транзистор Enhancement Mode D-MOS, P-канал, 30В, 3А [SOT-223]
Производитель: Nexperia, BSP250,115

Корпус TO261

BSP171PH6327XTSA1, Транзистор MOSFET P-CH 60В 1.9А Automotive [SOT-223 (3-pin + Tab)
BSP171PH6327XTSA1, Транзистор MOSFET P-CH 60В 1.9А Automotive [SOT-223 (3-pin + Tab)
Производитель: Infineon Technologies, BSP171PH6327XTSA1

Полевые МОП-транзисторы с P-каналом Infineon SIPMOS® Малые сигнальные МОП-транзисторы с P-каналом SIPMOS ® имеют несколько ф…

BSP149H6906XTSA1, Транзистор MOSFET N-CH 200V 660MA [SOT-223]
BSP149H6906XTSA1, Транзистор MOSFET N-CH 200V 660MA [SOT-223]
Производитель: Infineon Technologies, BSP149H6906XTSA1
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 0.66
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 1.8 Ом/0.66А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 1.8
Крутизна характеристики, S 0.8
Корпус SOT-223

МОП-транзистор N-Ch 200V 140mA SOT-223-3

BSP149, Транзистор [PG-SOT223-4]
BSP149, Транзистор [PG-SOT223-4]
Производитель: Infineon Technologies, BSP149
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 0.14
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 1.8 Ом/0.66А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 1.8
Крутизна характеристики, S 0.8
Корпус SOT-223

BSP129H6906XTSA1, Транзистор, N-канал, 240В, 200мА, 20Ом [SOT-223]
BSP129H6906XTSA1, Транзистор, N-канал, 240В, 200мА, 20Ом [SOT-223]
Производитель: Infineon Technologies, BSP129H6906XTSA1
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 240
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 0.2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 6 Ом/0.35А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 1.7
Крутизна характеристики, S 0.2
Корпус SOT-223

МОП-транзистор N-Ch 240V 350mA SOT-223-3