ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BSC340N08NS3GATMA1, Транзистор MOSFET N-CH 80V 23A [TDSON-8 EP] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
BSC340N08NS3GATMA1, Транзистор MOSFET N-CH 80V 23A [TDSON-8 EP]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
BSC340N08NS3GATMA1, Транзистор MOSFET N-CH 80V 23A [TDSON-8 EP]
Последняя цена
87 руб.
Сравнить
Описание
Полевые МОП-транзисторы Infineon OptiMOS ™ 3, от 60 до 80 В
Продукты OptiMOS ™ доступны в высокопроизводительных пакетах для решения самых сложных задач, обеспечивая полную гибкость в ограниченном пространстве. Эти продукты Infineon разработаны, чтобы соответствовать и превосходить требования к энергоэффективности и удельной мощности усовершенствованных стандартов регулирования напряжения следующего поколения в вычислительных приложениях.
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
BSC340N08NS3GATMA1
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1759723
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
8вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
SuperSOT
Рассеиваемая Мощность
32Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
80В
Непрерывный Ток Стока
23А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.0275Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
2.8В
Вес, г
0.1
Техническая документация
BSC340N08NS3G , pdf
, 590 КБ
Datasheet BSC340N08NS3GATMA1 , pdf
, 584 КБ
Datasheet BSC340N08NS3GATMA1 , pdf
, 587 КБ