EL

Транзисторы - Полевые (FETs, MOSFETs) - купить, сравнить

Полевые (FETs, MOSFETs)

BSS138N, MOSFET транзистор, [SOT-23]
Производитель: Infineon Technologies, BSS138N
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 50
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 0.22
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 3.5
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0.36
Корпус SOT-23-3

BSS138-TP, Транзистор Enhancement Mode FET, N-канал, 50В, 0.22А [SOT-23]
BSS138-TP, Транзистор Enhancement Mode FET, N-канал, 50В, 0.22А [SOT-23]
Производитель: Micro Commercial Components, BSS138-TP

BSS138LT1G, Транзистор, N-канал 50В 220мА [SOT-23]
BSS138LT1G, Транзистор, N-канал 50В 220мА [SOT-23]
Производитель: ON Semiconductor, BSS138LT1G
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 50
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 0.22
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 3.5 Ом/0.22А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0.36
Крутизна характеристики, S 0.1
Корпус SOT-23-3

N-канальный силовой полевой МОП-транзистор, 50 В, ON Semiconductor

BSS138, Транзистор, N-канал 50В 220мА [SOT-23]
BSS138, Транзистор, N-канал 50В 220мА [SOT-23]
Производитель: Fairchild Semiconductor, BSS138
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 50
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 0.22
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 3.5 Ом/0.22А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0.36
Крутизна характеристики, S 0.1
Корпус SOT-23-3

BSS138 является N-канальным полевым транзистором уровня логики с режимом обогащения в корпусе SOT-23. Он предназначен для минимизации сопротивлен…

BSS138-7-F, Транзистор, MOSFET, N-канал, 0.2А, 50В, [SOT-23]
BSS138-7-F, Транзистор, MOSFET, N-канал, 0.2А, 50В, [SOT-23]
Производитель: Diodes Incorporated, BSS138-7-F
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 50
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 0.2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 3.5 Ом/0.22А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0.3
Крутизна характеристики, S 0.1
Корпус SOT-23-3

N-канальный полевой МОП-транзистор, от 40 до 90 В, Diodes Inc.

BSS131H6327XTSA1, Транзистор MOSFET N-канал 240В 0.11А [SOT-23-3]
BSS131H6327XTSA1, Транзистор MOSFET N-канал 240В 0.11А [SOT-23-3]
Производитель: Infineon Technologies, BSS131H6327XTSA1

Корпус SOT-23-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 240 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпус…

BSS127SSN-7, Транзистор MOSFET N-CH 600В 50мА [SC-59]
BSS127SSN-7, Транзистор MOSFET N-CH 600В 50мА [SC-59]
Производитель: Diodes Incorporated, BSS127SSN-7

N-канальный полевой МОП-транзистор, от 100 до 950 В, Diodes Inc.

BSS123, Транзистор, N-канал 100В 170мА [SOT-23]
BSS123, Транзистор, N-канал 100В 170мА [SOT-23]
Производитель: ON Semiconductor, BSS123
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 0.17
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 6 Ом/0.17А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0.36
Крутизна характеристики, S 370
Корпус SOT-23-3

Полевой МОП-транзистор PowerTrench® с N-каналом, до 9,9 А, Fairchild Semiconductor

BSP89H6327XTSA1, Транзистор MOSFET N-канал 240В 0.35А [SOT-223]
BSP89H6327XTSA1, Транзистор MOSFET N-канал 240В 0.35А [SOT-223]
Производитель: Infineon Technologies, BSP89H6327XTSA1

Полевые МОП-транзисторы Infineon SIPMOS® с N-каналом

BSP89,115, Транзистор [SOT-223]
BSP89,115, Транзистор [SOT-223]
Производитель: NXP Semiconductor, BSP89,115
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 240
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 0.375
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 5000
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 1.5
Крутизна характеристики, S 0.6
Корпус SOT-223

• Прямой интерфейс к дополнительным (C-MOS) транзисторам и устройствам с транзисторно-транзисторной логикой (TTL) • Очень быстрое переключе…