EL

Транзисторы - Полевые (FETs, MOSFETs) - купить, сравнить

Полевые (FETs, MOSFETs)

BUK7905-40AI,127, Транзистор MOSFET N-CH 40В 75А [TO-220-5]
BUK7905-40AI,127, Транзистор MOSFET N-CH 40В 75А [TO-220-5]
Производитель: Nexperia, BUK7905-40AI,127

BUK7675-55A, Транзистор MOSFET N-CH 60В [D2PAK / TO-263]
BUK7675-55A, Транзистор MOSFET N-CH 60В [D2PAK / TO-263]
Производитель: VBsemi Elec, BUK7675-55A

BUK7635-55A,118, Транзистор TrenchMOS, N-канал, 55В, 35А, AEC-Q101 [SOT-404 / D2PAK]
BUK7635-55A,118, Транзистор TrenchMOS, N-канал, 55В, 35А, AEC-Q101 [SOT-404 / D2PAK]
Производитель: Nexperia, BUK7635-55A,118

МОП-транзистор TAPE13 PWR-MOS

BUK7610-55AL,118, Транзистор MOSFET N-канал 55В 75А [D2-PAK]
BUK7610-55AL,118, Транзистор MOSFET N-канал 55В 75А [D2-PAK]
Производитель: Nexperia, BUK7610-55AL,118

BUK7608-55A,118, Транзистор MOSFET N-CH 55V 75A [D2-PAK]
BUK7608-55A,118, Транзистор MOSFET N-CH 55V 75A [D2-PAK]
Производитель: Nexperia, BUK7608-55A,118

BSS84,215, Транзистор, P-канал, 50В 130мА [SOT-23]
BSS84,215, Транзистор, P-канал, 50В 130мА [SOT-23]
Производитель: Nexperia, BSS84,215
Структура p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 50
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 0.13
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 10 Ом/0.1А, 5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0.36
Крутизна характеристики, S 270
Корпус SOT-23-3

low rDS(on) Small-Signal MOSFETs Field Effect Transistors Корпус TO236

BSS84, Транзистор, P-канал, 50В 130мА [SOT-23]
BSS84, Транзистор, P-канал, 50В 130мА [SOT-23]
Производитель: ON Semiconductor, BSS84
Структура p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 50
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 0.13
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 10 Ом/0.1А, 5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0.36
Крутизна характеристики, S 270
Корпус SOT-23-3

low rDS(on) Small-Signal MOSFETs Field Effect Transistors Корпус TO236

BSS83P H6327XTSA1, P кан 60V 0.33A SOT23
BSS83P H6327XTSA1, P кан 60V 0.33A SOT23
Производитель: Infineon Technologies, BSS83P H6327XTSA1
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 15
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 0.05
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 2 Ом/0.33А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0.23
Корпус SOT-23-3

• Режим улучшения • Уровень защиты от лавин • Пакеты для малых сигналов одобрены в соответствии с AEC-Q101 • Уровень логики …

BSS169H6327XTSA1, Транзистор MOSFET N-CH 100В 170мА [SOT-23-3]
BSS169H6327XTSA1, Транзистор MOSFET N-CH 100В 170мА [SOT-23-3]
Производитель: Infineon Technologies, BSS169H6327XTSA1

Полевые МОП-транзисторы Infineon SIPMOS® с N-каналом

BSS138W-TP, Транзистор Enhancement Mode FET, N-канал, 50В, 0.22А [SOT-323]
BSS138W-TP, Транзистор Enhancement Mode FET, N-канал, 50В, 0.22А [SOT-323]
Производитель: Micro Commercial Components, BSS138W-TP

МОП-транзистор N-Channel МОП-транзистор, SOT-323 package