Транзисторы - Полевые (FETs, MOSFETs) - купить, сравнить


Полевые (FETs, MOSFETs)

BSC080N03LSGATMA1, Транзистор, OptiMOS 3, N-канал, 30В 53А [TDSON-8]
BSC080N03LSGATMA1, Транзистор, OptiMOS 3, N-канал, 30В 53А [TDSON-8]
Производитель: Infineon Technologies, BSC080N03LSGATMA1

МОП-транзистор N-Ch 30V 53A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC060N10NS3GATMA1, Транзистор
BSC060N10NS3GATMA1, Транзистор
Производитель: Infineon Technologies, BSC060N10NS3GATMA1

Корпус PGTDSON8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпус…

BSC042N03MSGATMA1, Транзистор, OptiMOS 3, N-канал, 30В 93А [TDSON-8]
BSC042N03MSGATMA1, Транзистор, OptiMOS 3, N-канал, 30В 93А [TDSON-8]
Производитель: Infineon Technologies, BSC042N03MSGATMA1

BSC039N06NSATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 100 А, 60 В, 0.0033 Ом, 10 В, 2.8 В
BSC039N06NSATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 100 А, 60 В, 0.0033 Ом, 10 В, 2.8 В
Производитель: Infineon Technologies, BSC039N06NSATMA1

TDSON 8/MV POWER MOS Корпус PGTDSON8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C, без…

BSC028N06NSATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 100 А, 60 В, 0.0025 Ом, 10 В, 2.8 В
BSC028N06NSATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 100 А, 60 В, 0.0025 Ом, 10 В, 2.8 В
Производитель: Infineon Technologies, BSC028N06NSATMA1

• Высочайшая эффективность системы • Требуется меньше параллельного подключения • Повышенная удельная мощность • Экономия места

BSC021N08NS5ATMA1
BSC021N08NS5ATMA1
Производитель: Infineon Technologies

BS250P, Транзистор MOSFET P-канал 45В 230мА [E-Line-3/TO-92]
BS250P, Транзистор MOSFET P-канал 45В 230мА [E-Line-3/TO-92]
Производитель: Diodes Incorporated, BS250P

P-канал 45 В 230 мА (Ta) 700 мВт (Ta) E-Line со сквозным отверстием (совместим с TO-92)

BS170, Транзистор, N-канал, 60В, 0.5А [TO-92]
BS170, Транзистор, N-канал, 60В, 0.5А [TO-92]
Производитель: ON Semiconductor, BS170
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 0.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 5 Ом/0.2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0.83
Крутизна характеристики, S 0.32
Корпус to-92

Корпус TO-92-3

BS108, Транзистор, N-канал [TO-92]
BS108, Транзистор, N-канал [TO-92]
Производитель: Китай, BS108
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 0.25
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 8 Ом/0.1А, 2.8В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0.35
Корпус to-92

BS108ZL1G, Транзистор, N-канал [TO-92]
BS108ZL1G, Транзистор, N-канал [TO-92]
Производитель: ON Semiconductor, BS108ZL1G
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 0.25
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 8 Ом/0.1А, 2.8В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0.35
Крутизна характеристики, S 0.33
Корпус TO-92(Formed Leads)