BSC080N03LSGATMA1, Транзистор, OptiMOS 3, N-канал, 30В 53А [TDSON-8]
![BSC080N03LSGATMA1, Транзистор, OptiMOS 3, N-канал, 30В 53А [TDSON-8]](/file/p_img/1759720.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, BSC080N03LSGATMA1
МОП-транзистор N-Ch 30V 53A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC060N10NS3GATMA1, Транзистор

Производитель: Infineon Technologies, BSC060N10NS3GATMA1
Корпус PGTDSON8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпус…
BSC042N03MSGATMA1, Транзистор, OptiMOS 3, N-канал, 30В 93А [TDSON-8]
![BSC042N03MSGATMA1, Транзистор, OptiMOS 3, N-канал, 30В 93А [TDSON-8]](/file/p_img/1759718.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, BSC042N03MSGATMA1
BSC039N06NSATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 100 А, 60 В, 0.0033 Ом, 10 В, 2.8 В

Производитель: Infineon Technologies, BSC039N06NSATMA1
TDSON 8/MV POWER MOS Корпус PGTDSON8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C, без…
BSC028N06NSATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 100 А, 60 В, 0.0025 Ом, 10 В, 2.8 В

Производитель: Infineon Technologies, BSC028N06NSATMA1
• Высочайшая эффективность системы • Требуется меньше параллельного подключения • Повышенная удельная мощность • Экономия места
BS250P, Транзистор MOSFET P-канал 45В 230мА [E-Line-3/TO-92]
![BS250P, Транзистор MOSFET P-канал 45В 230мА [E-Line-3/TO-92]](/file/p_img/1759684.jpg)
Производитель: Diodes Incorporated, BS250P
P-канал 45 В 230 мА (Ta) 700 мВт (Ta) E-Line со сквозным отверстием (совместим с TO-92)
BS170, Транзистор, N-канал, 60В, 0.5А [TO-92]
![BS170, Транзистор, N-канал, 60В, 0.5А [TO-92]](/file/p_img/1759673.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, BS170
Структура | n-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.5 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 5 Ом/0.2А, 10В |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.83 |
Крутизна характеристики, S | 0.32 |
Корпус | to-92 |
Корпус TO-92-3
BS108, Транзистор, N-канал [TO-92]
![BS108, Транзистор, N-канал [TO-92]](/file/p_img/1759652.jpg)
Производитель: Китай, BS108
Структура | n-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.25 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 8 Ом/0.1А, 2.8В |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.35 |
Корпус | to-92 |
BS108ZL1G, Транзистор, N-канал [TO-92]
![BS108ZL1G, Транзистор, N-канал [TO-92]](/file/p_img/1759651.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, BS108ZL1G
Структура | n-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.25 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 8 Ом/0.1А, 2.8В |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.35 |
Крутизна характеристики, S | 0.33 |
Корпус | TO-92(Formed Leads) |