ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BSH201,215, Транзистор MOSFET P-CH 60В 0.3А [SOT-23] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Nexperia
BSH201,215, Транзистор MOSFET P-CH 60В 0.3А [SOT-23]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
BSH201,215, Транзистор MOSFET P-CH 60В 0.3А [SOT-23]
Последняя цена
13 руб.
Сравнить
Описание
Корпус TO236
Информация
Производитель
Nexperia
Артикул
BSH201,215
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1759728
Технические параметры
Вес, г
0.05
Структура
p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
0.3
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
2.5 Ом/0.16А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
0.417
Крутизна характеристики, S
0.35
Корпус
SOT-23-3
Пороговое напряжение на затворе
-0.4
Особенности
низкопотребляющая портативная электроника
Техническая документация
BSH201 , pdf
, 119 КБ
Datasheet BSH201,215 , pdf
, 234 КБ
Datasheet BSH201.215 , pdf
, 235 КБ