ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BSC080N03MSGATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 53 А, 30 В, 6.7 мОм, 10 В, 1 В - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
BSC080N03MSGATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 53 А, 30 В, 6.7 мОм, 10 В,…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
BSC080N03MSGATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 53 А, 30 В, 6.7 мОм, 10 В, 1 В
Последняя цена
70 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
BSC080N03MSGATMA1
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1759721
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
8вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
PG-TSDSON
Рассеиваемая Мощность
35Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
30В
Непрерывный Ток Стока
53А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.0067Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
1В
Вес, г
0.224
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный