BS107ARL1G, Транзистор, N-канал [TO-92]
![BS107ARL1G, Транзистор, N-канал [TO-92]](/file/p_img/1759650.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, BS107ARL1G
Структура | n-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.25 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 6.4 Ом/0.25А, 10В |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.35 |
Корпус | TO-92(Formed Leads) |
BF998E6327HTSA1, Транзистор 2N-канал, схемы ВЧ радиоприемников [SOT-143]
![BF998E6327HTSA1, Транзистор 2N-канал, схемы ВЧ радиоприемников [SOT-143]](/file/p_img/1758849.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, BF998E6327HTSA1
Структура | 2n-канала |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 12 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.03 |
Корпус | SOT-143 |
Infineon MOSFET Tetrode с двумя затворами Двухзатворные малошумящие высокочастотные полевые МОП-транзисторы с Tetrode от Inf…
BF991/T1 SOT143

Производитель: NXP Semiconductor
Структура | 2n-канала |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.02 |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.2 |
Крутизна характеристики, S | 0.014 |
Корпус | SOT-143 |
BF961, Транзистор, RF MOSFET N-CH 20В 0.03А [TO-50]
![BF961, Транзистор, RF MOSFET N-CH 20В 0.03А [TO-50]](/file/p_img/1758847.jpg)
Производитель: Siemens, BF961
Структура | n-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.03 |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.2 |
Крутизна характеристики, S | 0.015 |
Корпус | to-50 |
BF245C, Транзистор N-канал 30В 10мА [TO-92]
![BF245C, Транзистор N-канал 30В 10мА [TO-92]](/file/p_img/1758833.jpg)
Производитель: Fairchild Semiconductor, BF245C
Структура | n-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
Корпус | to-92 |
BF1009SE6327HTSA1, Транзистор MOSFET N-CH 12V 25MA [SOT-143]
![BF1009SE6327HTSA1, Транзистор MOSFET N-CH 12V 25MA [SOT-143]](/file/p_img/1758831.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, BF1009SE6327HTSA1
BD244C, Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 65 Вт, -6 А, 15 hFE [TO-220AB]
![BD244C, Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 65 Вт, -6 А, 15 hFE [TO-220AB]](/file/p_img/1758731.jpg)
Производитель: Fairchild Semiconductor, BD244C
Структура | pnp |
Корпус | to-220 |
BC547C.112, Транзистор NPN 45В 0.1А 0.63Вт [TO-92]
![BC547C.112, Транзистор NPN 45В 0.1А 0.63Вт [TO-92]](/file/p_img/1758476.jpg)
Производитель: NXP Semiconductor, BC547C.112
Структура | npn |
Корпус | to-92 |
AUIRLS3036-7P, Транзистор Autom Q101 Nкан 60В 300А D2Ppak7

Производитель: Infineon Technologies, AUIRLS3036-7P
N-канальный силовой МОП-транзистор для автомобильной промышленности, Infineon Комплексный портфель Infineon, состоящий из од…