BSC265N10LSFGATMA1, Транзистор MOSFET, N-канал, 100В, 40А, [TDSON-8], Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 310 руб.

Сравнить

Описание

Семейство силовых полевых МОП-транзисторов Infineon OptiMOS ™ 2
Infineon, семейство N-каналов OptiMOS ™ 2 предлагает самое низкое в отрасли сопротивление в открытом состоянии в пределах своей группы напряжений. Серия Power MOSFET может использоваться во многих приложениях, включая высокочастотные телекоммуникационные системы, устройства передачи данных, солнечные батареи, низковольтные приводы и серверные источники питания. Семейство продуктов OptiMOS 2 варьируется от 20 В и выше и предлагает выбор различных типов корпусов.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

BSC265N10LSFGATMA1

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1759722

Технические параметры

Вес, г

0.01

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

6.1мм

Высота

1.1мм

Количество элементов на ИС

Brand

Infineon

Series

OptiMOS 2

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

36 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Длина

5.35мм

Тип корпуса

PG-TDSON

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Maximum Gate Threshold Voltage

2.4V

Число контактов

Типичный заряд затвора при Vgs

16 нКл при 10 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Maximum Continuous Drain Current

40 A

Maximum Power Dissipation

78 Вт

Channel Mode

Поднятие

Channel Type

Минимальное пороговое напряжение включения

1.2V

Forward Diode Voltage

1.2V

Техническая документация

BSC265N10LSFG , pdf , 443 КБ
Datasheet BSC265N10LSFGATMA1 , pdf , 222 КБ
Datasheet , pdf , 653 КБ

BSC265N10LSFGATMA1, Транзистор MOSFET, N-канал, 100В, 40А, [TDSON-8] - характеристики, поставщики

Последняя цена 310 руб.

Техническая документация