ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FDC6420C, Транзистор, PowerTrench, N+P-канал, 20В, 3/-2.2А, 95/190мОм [SuperSOT-6] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
FDC6420C, Транзистор, PowerTrench, N+P-канал, 20В, 3/-2.2А, 95/190мОм…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
FDC6420C, Транзистор, PowerTrench, N+P-канал, 20В, 3/-2.2А, 95/190мОм [SuperSOT-6]
Последняя цена
33 руб.
Сравнить
Описание
Корпус SOT236
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
FDC6420C
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1766048
Технические параметры
Вес, г
0.047
Структура
N/P-каналы
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
3./2.2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
12
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.07 Ом/3А, 4.5В/0.125 Ом/2.2А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
0.96
Крутизна характеристики, S
10/6
Корпус
SuperSOT-6/SOT-23-6
Техническая документация
FDC6420C , pdf
, 103 КБ
Datasheet FDC6420C , pdf
, 217 КБ