FDD7N25LZTM, Транзистор MOSFET N-CH 250В 6.2А [D-PAK], ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 39 руб.

Сравнить

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

FDD7N25LZTM

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1766076

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Максимальный непрерывный ток стока

6.2 A

Максимальное рассеяние мощности

56 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

6.22мм

Высота

2.39мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

570 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

250 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Длина

6.73мм

Серия

UniFET

Типичное время задержки выключения

75 ns

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Размеры

6.73 x 6.22 x 2.39мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

10 нс

Производитель

ON Semiconductor

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Типичный заряд затвора при Vgs

12 nC @ 10 V

Типичная входная емкость при Vds

480 pF @ 25 V

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Техническая документация

FDD7N25LZ , pdf , 757 КБ
Datasheet FDD7N25LZTM , pdf , 754 КБ

FDD7N25LZTM, Транзистор MOSFET N-CH 250В 6.2А [D-PAK] - характеристики, поставщики

Последняя цена 39 руб.

Техническая документация