ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FDD6635, Транзистор N-канал 35В 59А 0.010Ом [D-PAK / TO-252] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
FDD6635, Транзистор N-канал 35В 59А 0.010Ом [D-PAK / TO-252]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
FDD6635, Транзистор N-канал 35В 59А 0.010Ом [D-PAK / TO-252]
Последняя цена
95 руб.
Сравнить
Описание
Корпус TO252
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
FDD6635
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1766075
Технические параметры
Вес, г
0.4
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
35
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
59
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.01 Ом/15А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
55
Крутизна характеристики, S
53
Корпус
DPAK(2 Leads+Tab)
Техническая документация
Datasheet - FDD6635 , pdf
, 361 КБ
Datasheet FDD6635 , pdf
, 405 КБ
Datasheet , pdf
, 403 КБ