FDC602P, Транзистор MOSFET P-CH 20V 5.5A [SSOT-6], ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Сравнить

• Высокая скорость переключения
• Высокопроизводительная технология Trench для чрезвычайно низкого RDS (ON)

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

FDC602P

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1766046

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

6вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

SuperSOT

Рассеиваемая Мощность

1.6Вт

Полярность Транзистора

P Канал

Напряжение Истока-стока Vds

-20В

Непрерывный Ток Стока

5.5А

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.035Ом

Напряжение Измерения Rds(on)

-4.5В

Пороговое Напряжение Vgs

-900мВ

Вес, г

0.1

FDC602P, Транзистор MOSFET P-CH 20V 5.5A [SSOT-6] - характеристики, поставщики