Транзисторы - Полевые (FETs, MOSFETs) - купить, сравнить

Структура	2p-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.023 Ом/7А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	1
Крутизна характеристики, S	19
Корпус	soic-8

Корпус SO-8

Сравнить

Структура	N/P-каналы
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	6.2/4.4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.029 Ом/6.2А, 10В/0.046 при 4.4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	2
Крутизна характеристики, S	21/12
Корпус	soic-8

FDS4897C - это двойной N-канальный и P-канальный полевой МОП-транзистор PowerTrench® 40 В, специально разработанный для минимизации сопротивлени…

Сравнить

Структура	p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	8.8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.02 Ом/8.8А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	1.2
Крутизна характеристики, S	24
Корпус	soic-8

FM - LV FET Корпус SO-8

Сравнить

N-канал 500V 4A (Tc) 28W (Tc) сквозное отверстие TO-220F

Сравнить

Тип упаковки-Tube (туба); Полевой транзистор, N-канальный, 250 В, 28 А, 33 Вт Корпус TO220FULLPAK3

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	3.8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	2.5 Ом/1.9А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	28
Крутизна характеристики, S	3.3
Корпус	TO-220F