ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FDN335N, Транзистор MOSFET, N-канал, 20В, 1.7А, [SSOT-3] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
FDN335N, Транзистор MOSFET, N-канал, 20В, 1.7А, [SSOT-3]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
FDN335N, Транзистор MOSFET, N-канал, 20В, 1.7А, [SSOT-3]
Последняя цена
45 руб.
Сравнить
Описание
Полевой МОП-транзистор PowerTrench® с N-каналом, до 9,9 А, Fairchild Semiconductor
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
FDN335N
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1766091
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
sot-23
Рассеиваемая Мощность
500мВт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
20В
Непрерывный Ток Стока
1.7А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.07Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
4.5В
Пороговое Напряжение Vgs
900мВ
Вес, г
0.02
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Техническая документация
FDN335N , pdf
, 207 КБ
Datasheet FDN335N , pdf
, 193 КБ
Datasheet , pdf
, 177 КБ