FDMS3602S, Транзистор MOSFET 2N-канала 25В 15А/26А [POWER-56], ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 290 руб.

Сравнить

Описание

Двойной N-канальный МОП-транзистор PowerTrench®, Fairchild Semiconductor
ON Полевые МОП-транзисторы Semis PowerTrench® оптимизированы с переключением мощности, что обеспечивает повышенную эффективность системы и удельную мощность. Они сочетают в себе небольшой заряд затвора, малое обратное восстановление и мягкий диод с обратным восстановлением, что способствует быстрому переключению синхронного выпрямления в источниках питания переменного / постоянного тока.
Характеристики мягких диодов полевых МОП-транзисторов PowerTrench® позволяют устранить демпфирующую цепь или заменить полевой МОП-транзистор с более высоким номинальным напряжением.

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

FDMS3602S

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1766089

Технические параметры

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Package Type

Power 56

Transistor Material

Length

5mm

Brand

ON Semiconductor

Series

PowerTrench

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

19 nC @ 10 V, 45 nC @ 10 V

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Mounting Type

Surface Mount

Transistor Configuration

Series

Minimum Gate Threshold Voltage

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

30 A, 40 A

Maximum Power Dissipation

2.2 W, 2.5 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

6mm

Height

1.05mm

Maximum Drain Source Resistance

3.9 mΩ, 8.7 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

25 V

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Техническая документация

FDMS3602S , pdf , 718 КБ

FDMS3602S, Транзистор MOSFET 2N-канала 25В 15А/26А [POWER-56] - характеристики, поставщики

Последняя цена 290 руб.

Техническая документация