ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FDH5500_F085, Транзистор MOSFET N-CH 55V 75A [TO-247] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
FDH5500_F085, Транзистор MOSFET N-CH 55V 75A [TO-247]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
FDH5500_F085, Транзистор MOSFET N-CH 55V 75A [TO-247]
Последняя цена
360 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
FDH5500_F085
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1766082
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
175 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
to-247
Рассеиваемая Мощность
375Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
55В
Непрерывный Ток Стока
75А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.0052Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
2.9В
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
75
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.007 Ом/75А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
375
Корпус
to-247