Транзисторы - Полевые (FETs, MOSFETs) - купить, сравнить


Полевые (FETs, MOSFETs)

IRF7317TRPBF, Транзистор HEXFET N/P-каналы 20B 6.6А/5.3A [SOIC-8]
IRF7317TRPBF, Транзистор HEXFET N/P-каналы 20B 6.6А/5.3A [SOIC-8]
Производитель: Infineon Technologies, IRF7317TRPBF

Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N+P, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 6…

IRF7317PBF, Транзисто, N/P-каналы 20B 6.6А/-5.3A [SO-8]
IRF7317PBF, Транзисто, N/P-каналы 20B 6.6А/-5.3A [SO-8]
Производитель: International Rectifier, IRF7317PBF
Структура N/P-каналы
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 6.6/5.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.029 Ом/6А, 4.5В/0.058 Ом/2.9А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2
Крутизна характеристики, S 20/5.9
Корпус soic-8

IRF7316TRPBF, Транзисто, HEXFET, 2P-канала, 30В, 4.9А [SOIC-8]
IRF7316TRPBF, Транзисто, HEXFET, 2P-канала, 30В, 4.9А [SOIC-8]
Производитель: Infineon Technologies, IRF7316TRPBF

P-Channel Power MOSFET 30V, Infineon Диапазон дискретных мощных MOSFET-транзисторов Infineon включает P-канальные устройства…

IRF7316PBF, Транзисто, 2P-канала 30В 4.9А [SO-8]
IRF7316PBF, Транзисто, 2P-канала 30В 4.9А [SO-8]
Производитель: International Rectifier, IRF7316PBF
Структура 2p-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 4.9
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.058 Ом/4.9А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2
Крутизна характеристики, S 7.7
Корпус soic-8

IRF7314TRPBF, Транзисто, HEXFET, 2P-канала, 20В, 5.3А [SOIC-8]
IRF7314TRPBF, Транзисто, HEXFET, 2P-канала, 20В, 5.3А [SOIC-8]
Производитель: Infineon Technologies, IRF7314TRPBF

Корпус SO-8, Конфигурация и полярность DUAL P, Максимальное напряжение сток-исток 20 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпус…

IRF7314PBF, Транзисто, 2P-канала 20В 5.3А [SO-8]
IRF7314PBF, Транзисто, 2P-канала 20В 5.3А [SO-8]
Производитель: International Rectifier, IRF7314PBF
Структура 2p-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 5.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.058 Ом/2.9А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2
Крутизна характеристики, S 5.9
Корпус soic-8

IRF7313TRPBF, Транзисто, HEXFET, 2N-канала, 30В, 6.5А [SOIC-8]
IRF7313TRPBF, Транзисто, HEXFET, 2N-канала, 30В, 6.5А [SOIC-8]
Производитель: Infineon Technologies, IRF7313TRPBF

Корпус SO-8, Конфигурация и полярность DUAL N, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпус…

IRF7313PBF, Транзисто, 2N-канала 30В 6.5А [SO-8]
IRF7313PBF, Транзисто, 2N-канала 30В 6.5А [SO-8]
Производитель: International Rectifier, IRF7313PBF
Структура 2n-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 6.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.029 Ом/5.8А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2
Крутизна характеристики, S 14
Корпус soic-8

IRF7311TRPBF, Транзисто, 2N-канала 20В 6.6А [SO-8]
IRF7311TRPBF, Транзисто, 2N-канала 20В 6.6А [SO-8]
Производитель: Infineon Technologies, IRF7311TRPBF
Структура 2n-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 6.6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.029 Ом/6А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2
Крутизна характеристики, S 20
Корпус soic-8

Корпус SO-8, Конфигурация и полярность DUAL N, Максимальное напряжение сток-исток 20 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпус…

IRF7311PBF, Транзисто, 2N-канала 20В 6.6А [SO-8]
IRF7311PBF, Транзисто, 2N-канала 20В 6.6А [SO-8]
Производитель: International Rectifier, IRF7311PBF
Структура 2n-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 6.6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.029 Ом/6А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2
Крутизна характеристики, S 20
Корпус soic-8