IRF7316TRPBF, Транзисто, HEXFET, 2P-канала, 30В, 4.9А [SOIC-8], Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 51 руб.

Сравнить

Описание

P-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
Диапазон дискретных мощных MOSFET-транзисторов Infineon включает P-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах, а также в форм-факторах, которые подходят практически для любой компоновки платы и теплового дизайна вызов. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IRF7316TRPBF

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1772724

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.15

Максимальный непрерывный ток стока

4.9 A

Максимальное рассеяние мощности

2 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

4мм

Высота

1.5мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

98 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

30 V

Номер канала

Поднятие

Тип канала

A, P, WRU

Длина

5мм

Серия

HEXFET

Типичное время задержки выключения

34 нс

Тип корпуса

SOIC

Размеры

5 x 4 x 1.5мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Изолированный

Типичное время задержки включения

13 ns

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

23 nC @ 10 V

Типичная входная емкость при Vds

710 pF @ 25 V

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Техническая документация

IRF7316PBF Datasheet , pdf , 204 КБ
irf7316pbf , pdf , 206 КБ

IRF7316TRPBF, Транзисто, HEXFET, 2P-канала, 30В, 4.9А [SOIC-8] - характеристики, поставщики

Последняя цена 51 руб.

Техническая документация