IRF7406PBF, Транзистор, P-канал 30В 5.8А [SO-8]
![IRF7406PBF, Транзистор, P-канал 30В 5.8А [SO-8]](/file/p_img/1772756.jpg)
Производитель: International Rectifier, IRF7406PBF
| Структура | p-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6.7 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.045 Ом/2.8А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Крутизна характеристики, S | 3.1 |
| Корпус | soic-8 |
IRF7404TRPBF, Транзистор, P-канал 20В 6.7А [SO-8]
![IRF7404TRPBF, Транзистор, P-канал 20В 6.7А [SO-8]](/file/p_img/1772755.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IRF7404TRPBF
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность P, Максимальное напряжение сток-исток 20 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 6.7…
IRF7404PBF, Транзистор, P-канал 20В 6.7А [SO-8]
![IRF7404PBF, Транзистор, P-канал 20В 6.7А [SO-8]](/file/p_img/1772754.jpg)
Производитель: International Rectifier, IRF7404PBF
| Структура | p-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7.7 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.04 Ом/3.2А, 4.5В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Крутизна характеристики, S | 6.8 |
| Корпус | soic-8 |
MOSFET, P, LOGIC, SO-8 Transistor Type MOSFET Transistor Polarity P Voltage, Vds Typ -20V Current, Id Cont 5.3A Resistance, Rds On 0.04ohm Voltage,…
IRF7403, 1N 30В 8.5А logic SO8, транзистор
Производитель: International Rectifier, IRF7403
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8.5 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.022 Ом/4А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Крутизна характеристики, S | 8.4 |
| Корпус | soic-8 |
IRF7402PBF, Nкан 20В 6.8А SO8
Производитель: International Rectifier, IRF7402PBF
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6.8 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.035 Ом/4.1А, 4.5В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Крутизна характеристики, S | 6.1 |
| Корпус | soic-8 |
IRF7401TRPBF, Транзистор HEXFET, N-канал 20В 8.7А [SO-8]
![IRF7401TRPBF, Транзистор HEXFET, N-канал 20В 8.7А [SO-8]](/file/p_img/1772751.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IRF7401TRPBF
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8.7 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.022 Ом/4.1А, 4.5В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Крутизна характеристики, S | 11 |
| Корпус | soic-8 |
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 20 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 8.7…
IRF7401PBF, Транзистор, N-канал 20В 8.7А [SO-8]
![IRF7401PBF, Транзистор, N-канал 20В 8.7А [SO-8]](/file/p_img/1772750.jpg)
Производитель: International Rectifier, IRF7401PBF
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8.7 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.022 Ом/4.1А, 4.5В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Крутизна характеристики, S | 11 |
| Корпус | soic-8 |
MOSFET, N SO-8 TUBE 95 Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 20V Current, Id Cont 8.7A Resistance, Rds On 0.022ohm Voltage,…
IRF740PBF, Транзистор, N-канал 400В 10А [TO-220AB]
![IRF740PBF, Транзистор, N-канал 400В 10А [TO-220AB]](/file/p_img/1772749.jpg)
Производитель: Vishay, IRF740PBF
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 400 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.55 Ом/6А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 125 |
| Крутизна характеристики, S | 8.9 |
| Корпус | TO-220AB |
MOSFET, N, 400V, 10A, TO-220 Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 400V Current, Id Cont 10A Resistance, Rds On 0.55ohm Volt…
IRF7389TRPBF, Транзистор HEXFET N/P-каналы 30В 7.3А/5.3А [SOIC-8]
![IRF7389TRPBF, Транзистор HEXFET N/P-каналы 30В 7.3А/5.3А [SOIC-8]](/file/p_img/1772748.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IRF7389TRPBF
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N+P, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 7…
IRF7389PBF, Транзистор, N/P-каналы 30В 7.3А/-5.3А [SO-8]
![IRF7389PBF, Транзистор, N/P-каналы 30В 7.3А/-5.3А [SO-8]](/file/p_img/1772747.jpg)
Производитель: International Rectifier, IRF7389PBF
| Структура | N/P-каналы |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7.3/5.3 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.029 Ом/5.8А, 10В/0.058 Ом/4.9А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Крутизна характеристики, S | 14/7.7 |
| Корпус | soic-8 |