Транзисторы - Полевые (FETs, MOSFETs) - купить, сравнить


Полевые (FETs, MOSFETs)

IRF7301TRPBF, Транзистор, HEXFET, 2N-канала, 20В, 5.2А [SOIC-8]
IRF7301TRPBF, Транзистор, HEXFET, 2N-канала, 20В, 5.2А [SOIC-8]
Производитель: Infineon Technologies, IRF7301TRPBF

IRF7301TRPBF - это двухканальный МОП-транзистор с N-каналом, в котором используются передовые технологии обработки для достижения минимально воз…

IRF7301PBF, Транзисто, 2N-канала 20В 5.2А 0.050Ом [SO-8]
IRF7301PBF, Транзисто, 2N-канала 20В 5.2А 0.050Ом [SO-8]
Производитель: Infineon Technologies, IRF7301PBF
Структура 2n-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 5.2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.05 Ом/2.6А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2
Крутизна характеристики, S 8.3
Корпус soic-8

IRF730PBF, Транзистор, N-канал 400В 5.5А [TO-220AB]
IRF730PBF, Транзистор, N-канал 400В 5.5А [TO-220AB]
Производитель: Vishay, IRF730PBF
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 400
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 5.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 1 Ом/3.3А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 74
Крутизна характеристики, S 3
Корпус TO-220AB

• Динамический рейтинг dV / dt • Рейтинг повторяющихся лавин • Рабочая температура 150 ° C • Простота параллельного подключения

IRF7240TRPBF, Транзистор P-CH 40V 10.5A [SOIC-8]
IRF7240TRPBF, Транзистор P-CH 40V 10.5A [SOIC-8]
Производитель: Infineon Technologies, IRF7240TRPBF
Структура p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 10.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.015 Ом/10.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2.5
Крутизна характеристики, S 17
Корпус soic-8

P-канальные силовые полевые МОП-транзисторы от 40 до 55 В, Infineon Infineon, предлагает линейку дискретных мощных МОП-транз…

IRF7240PBF, Pкан -40В -10.5А SO8
IRF7240PBF, Pкан -40В -10.5А SO8
Производитель: International Rectifier, IRF7240PBF
Структура p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 10.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.015 Ом/10.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2.5
Крутизна характеристики, S 17
Корпус soic-8

P-канальные силовые полевые МОП-транзисторы от 40 до 55 В, Infineon Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов Infi…

IRF7220PBF, Транзистор, P-канал 14В 11А [SO-8]
IRF7220PBF, Транзистор, P-канал 14В 11А [SO-8]
Производитель: International Rectifier, IRF7220PBF
Структура p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 14
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 11
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.012 Ом/11А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2.5
Крутизна характеристики, S 8.4
Корпус soic-8

IRF7210TRPBF, Транзистор, P-канал 12В 16А [SO-8] (=IRF7210PBF)
IRF7210TRPBF, Транзистор, P-канал 12В 16А [SO-8] (=IRF7210PBF)
Производитель: International Rectifier, IRF7210TRPBF
Структура p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 12
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 16
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.007 Ом/16А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2.5
Крутизна характеристики, S 16
Корпус soic-8

IRF7205TRPBF, Транзистор, HEXFET, P-канал, 30В, 4.6А [SOIC-8]
IRF7205TRPBF, Транзистор, HEXFET, P-канал, 30В, 4.6А [SOIC-8]
Производитель: Infineon Technologies, IRF7205TRPBF

IRF7205PBF, Транзистор, P-канал 30В 4.6А [SO-8]
IRF7205PBF, Транзистор, P-канал 30В 4.6А [SO-8]
Производитель: International Rectifier, IRF7205PBF
Структура p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 4.6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.07 Ом/4.6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2.5
Крутизна характеристики, S 6.6
Корпус soic-8

IRF7204TRPBF, Транзистор, HEXFET, P-канал, 20В, 5.3А [SOIC-8]
IRF7204TRPBF, Транзистор, HEXFET, P-канал, 20В, 5.3А [SOIC-8]
Производитель: Infineon Technologies, IRF7204TRPBF

Корпус SO-8, Конфигурация и полярность P, Максимальное напряжение сток-исток 20 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 5.3…