IRF7341TRPBF, Транзисто, 2N-канала 55В 4.7А [SO-8]
![IRF7341TRPBF, Транзисто, 2N-канала 55В 4.7А [SO-8]](/file/p_img/1772736.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IRF7341TRPBF
| Структура | 2n-канала |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.7 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.05 Ом/4.7А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Крутизна характеристики, S | 7.9 |
| Корпус | soic-8 |
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность DUAL N, Максимальное напряжение сток-исток 55 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпус…
IRF7341PBF, Транзисто, 2N-канала 55В 4.7А [SO-8]
![IRF7341PBF, Транзисто, 2N-канала 55В 4.7А [SO-8]](/file/p_img/1772735.jpg)
Производитель: International Rectifier, IRF7341PBF
| Структура | 2n-канала |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.7 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.05 Ом/4.7А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Крутизна характеристики, S | 7.9 |
| Корпус | soic-8 |
IRF7329TRPBF, Транзистор HEXFET 2P-канала 12B 9.2A [SOIC-8]
![IRF7329TRPBF, Транзистор HEXFET 2P-канала 12B 9.2A [SOIC-8]](/file/p_img/1772734.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IRF7329TRPBF
MOSFET, DUAL P CH, -12V, -9.2A, SOIC-8 Корпус SO-8, Конфигурация и полярность DUAL P, Максимальное напряжение сток-исток 12 В, Ток стока номина…
IRF7329PBF, 2Pкан -12В -9.2А SO8
Производитель: International Rectifier, IRF7329PBF
| Структура | 2p-канала |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 12 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9.2 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.017 Ом/9.2А, 4.5В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Крутизна характеристики, S | 25 |
| Корпус | soic-8 |
MOSFET, DUAL, PP, LOGIC, SO-8; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: PP; Voltage, Vds Typ: -12V; Current, Id Cont: 9.2A; Resistance, Rds On:…
IRF7328TRPBF, Транзистор, HEXFET, 2P-канала 30В 8.0А [SOIC-8]
![IRF7328TRPBF, Транзистор, HEXFET, 2P-канала 30В 8.0А [SOIC-8]](/file/p_img/1772732.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IRF7328TRPBF
MOSFET; Transistor Type: MOSFET; Transist Корпус SO-8, Конфигурация и полярность DUAL P, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока ном…
IRF7328PBF, Транзистор, 2P-канала 30В 8.0А [SO-8]
![IRF7328PBF, Транзистор, 2P-канала 30В 8.0А [SO-8]](/file/p_img/1772731.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IRF7328PBF
| Структура | p-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.021 Ом/8А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Крутизна характеристики, S | 12 |
| Корпус | soic-8 |
MOSFET; Transistor Type: MOSFET; Transist Корпус SO-8, Конфигурация и полярность DUAL P, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока ном…
IRF7324PBF, Транзистор, 2P-канала 20В 9.0А [SO-8]
![IRF7324PBF, Транзистор, 2P-канала 20В 9.0А [SO-8]](/file/p_img/1772730.jpg)
Производитель: International Rectifier, IRF7324PBF
| Структура | 2p-канала |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.018 Ом/9А, 4.5В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Крутизна характеристики, S | 19 |
| Корпус | soic-8 |
IRF7321D2TRPBF, Сборка, диод Шоттки + транзистор P-канал 30В 4.9А [SO-8]
![IRF7321D2TRPBF, Сборка, диод Шоттки + транзистор P-канал 30В 4.9А [SO-8]](/file/p_img/1772729.jpg)
Производитель: International Rectifier, IRF7321D2TRPBF
| Структура | p-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.7 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.062 Ом/4.9А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Крутизна характеристики, S | 7.7 |
| Корпус | soic-8 |
IRF7319TRPBF, Транзистор N+P-канал 30В 4.9А, [SO-8]
![IRF7319TRPBF, Транзистор N+P-канал 30В 4.9А, [SO-8]](/file/p_img/1772728.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IRF7319TRPBF
| Структура | N/P-каналы |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6.5/4.9 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.029 Ом/5.8А, 10В/0.058 Ом/4.9А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Крутизна характеристики, S | 14/7.7 |
| Корпус | soic-8 |
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N+P, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 6…
IRF7319PBF, Транзистор, N/P-каналы 30B 6.5A/-4.9А [SO-8]
![IRF7319PBF, Транзистор, N/P-каналы 30B 6.5A/-4.9А [SO-8]](/file/p_img/1772727.jpg)
Производитель: International Rectifier, IRF7319PBF
| Структура | N/P-каналы |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6.5/4.9 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.029 Ом/5.8А, 10В/0.058 Ом/4.9А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Крутизна характеристики, S | 7.7 |
| Корпус | soic-8 |