IRF7317TRPBF, Транзистор HEXFET N/P-каналы 20B 6.6А/5.3A [SOIC-8], Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 42 руб.

Сравнить

Описание

Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N+P, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 6.6 А, Сопротивление открытого канала (мин) 23 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IRF7317TRPBF

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1772726

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.15

Максимальный непрерывный ток стока

5,3 А, 6,6 А

Максимальное рассеяние мощности

2 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

4мм

Высота

1.5мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

46 mΩ, 98 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

20 V

Номер канала

Поднятие

Тип канала

N, P

Длина

5мм

Серия

HEXFET

Типичное время задержки выключения

38 нс, 42 нс

Тип корпуса

SOIC

Размеры

5 x 4 x 1.5мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Изолированный

Типичное время задержки включения

8.1 ns, 15 ns

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

0.7V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.7V

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

18 нКл при 4,5 В, 19 нКл при 4,5 В

Типичная входная емкость при Vds

780 пФ при -15 В, 900 пФ при 15 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-12 V, +12 V

Техническая документация

IRF7317PBF Datasheet , pdf , 237 КБ
Datasheet , pdf , 237 КБ

IRF7317TRPBF, Транзистор HEXFET N/P-каналы 20B 6.6А/5.3A [SOIC-8] - характеристики, поставщики

Последняя цена 42 руб.

Техническая документация