IRF7314TRPBF, Транзисто, HEXFET, 2P-канала, 20В, 5.3А [SOIC-8], Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 51 руб.

Сравнить

Описание

Корпус SO-8, Конфигурация и полярность DUAL P, Максимальное напряжение сток-исток 20 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 5.3 А, Сопротивление открытого канала (мин) 58 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IRF7314TRPBF

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1772722

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.15

Максимальный непрерывный ток стока

5,3 А

Максимальное рассеяние мощности

2 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

4мм

Высота

1.5мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

98 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

20 V

Номер канала

Поднятие

Тип канала

A, P

Длина

5мм

Серия

HEXFET

Типичное время задержки выключения

42 ns

Тип корпуса

SOIC

Размеры

5 x 4 x 1.5мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Изолированный

Типичное время задержки включения

15 нс

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

0.7V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.7V

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

19 nC @ 4.5 V

Типичная входная емкость при Vds

780 pF @ -15 V

Максимальное напряжение затвор-исток

-12 V, +12 V

Техническая документация

Datasheet IRF7314 , pdf , 196 КБ

IRF7314TRPBF, Транзисто, HEXFET, 2P-канала, 20В, 5.3А [SOIC-8] - характеристики, поставщики

Последняя цена 51 руб.

Техническая документация