IRF7309TRPBF, Транзистор, N/P-каналы 30B 4A/-3А [SO-8]
![IRF7309TRPBF, Транзистор, N/P-каналы 30B 4A/-3А [SO-8]](/file/p_img/1772716.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IRF7309TRPBF
| Структура | N/P-каналы |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.9/3.6 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.05 Ом/2.4А, 10В/0.1 Ом/1.8А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.4 |
| Крутизна характеристики, S | 5.2/2.5 |
| Корпус | soic-8 |
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N+P, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 4…
IRF7309PBF, Транзистор, N/P-каналы 30B 4A/-3А [SO-8]
![IRF7309PBF, Транзистор, N/P-каналы 30B 4A/-3А [SO-8]](/file/p_img/1772715.jpg)
Производитель: International Rectifier, IRF7309PBF
| Структура | N/P-каналы |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.9/3.6 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.05 Ом/2.4А, 10В/0.1 Ом/1.8А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.4 |
| Крутизна характеристики, S | 5.2/2.5 |
| Корпус | soic-8 |
IRF7307TRPBF, Транзистор, HEXFET, N/P-каналы, 20В, 5.2А/-4.3А [SOIC-8]
![IRF7307TRPBF, Транзистор, HEXFET, N/P-каналы, 20В, 5.2А/-4.3А [SOIC-8]](/file/p_img/1772714.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IRF7307TRPBF
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N+P, Максимальное напряжение сток-исток 20 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 5…
IRF7307PBF, Транзистор, N/P-каналы 20В 5.2А/-4.3А [SO-8]
![IRF7307PBF, Транзистор, N/P-каналы 20В 5.2А/-4.3А [SO-8]](/file/p_img/1772713.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IRF7307PBF
| Структура | N/P-каналы |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5.7/4.7 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.05 Ом/2.6А, 4.5В/0.09 Ом/2.2А, 4.5В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Крутизна характеристики, S | 8.3/4 |
| Корпус | soic-8 |
IRF7306TRPBF, Транзисто, 2P-канала 30В 3.6А 0.10Ом [SO-8]
![IRF7306TRPBF, Транзисто, 2P-канала 30В 3.6А 0.10Ом [SO-8]](/file/p_img/1772712.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IRF7306TRPBF
| Структура | 2p-канала |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.1 Ом/1.8А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Крутизна характеристики, S | 2.5 |
| Корпус | soic-8 |
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность DUAL P, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпус…
IRF7306PBF, Транзисто, 2P-канала 30В 3.6А 0.10Ом [SO-8]
![IRF7306PBF, Транзисто, 2P-канала 30В 3.6А 0.10Ом [SO-8]](/file/p_img/1772711.jpg)
Производитель: International Rectifier, IRF7306PBF
| Структура | 2p-канала |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.1 Ом/1.8А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Крутизна характеристики, S | 2.5 |
| Корпус | soic-8 |
IRF7304TRPBF, Транзисто HEXFET, 2P-канала, 20В, 4.3А, 0.090Ом [SO-8]
![IRF7304TRPBF, Транзисто HEXFET, 2P-канала, 20В, 4.3А, 0.090Ом [SO-8]](/file/p_img/1772710.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IRF7304TRPBF
| Структура | 2p-канала |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.7 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.09 Ом/2.2А, 4.5В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.4 |
| Крутизна характеристики, S | 4 |
| Корпус | soic-8 |
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность DUAL P, Максимальное напряжение сток-исток 20 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпус…
IRF7304PBF, Транзисто, 2P-канала 20В 4.3А 0.090Ом [SO-8]
![IRF7304PBF, Транзисто, 2P-канала 20В 4.3А 0.090Ом [SO-8]](/file/p_img/1772709.jpg)
Производитель: International Rectifier, IRF7304PBF
| Структура | 2p-канала |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.7 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.09 Ом/2.2А, 4.5В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.4 |
| Крутизна характеристики, S | 4 |
| Корпус | soic-8 |
Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.3A 2W Поверхностный монтаж 8-SO
IRF7303TRPBF, Транзистор, 2N-канала 30В 4.9А 0.050Ом [SO-8]
![IRF7303TRPBF, Транзистор, 2N-канала 30В 4.9А 0.050Ом [SO-8]](/file/p_img/1772708.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IRF7303TRPBF
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность DUAL N, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпус…
IRF7303PBF, Транзистор, 2N-канала 30В 4.9А 0.050Ом [SO-8]
![IRF7303PBF, Транзистор, 2N-канала 30В 4.9А 0.050Ом [SO-8]](/file/p_img/1772707.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IRF7303PBF
| Структура | 2n-канала |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5.3 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.05 Ом/2.6А, 4.5В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Крутизна характеристики, S | 5.2 |
| Корпус | soic-8 |