IRF7313TRPBF, Транзисто, HEXFET, 2N-канала, 30В, 6.5А [SOIC-8], Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 48 руб.

Сравнить

Описание

Корпус SO-8, Конфигурация и полярность DUAL N, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 6.5 А, Сопротивление открытого канала (мин) 23 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IRF7313TRPBF

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1772720

Технические параметры

Вес, г

0.15

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

6.5A

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

2 N Channel(Double)

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

30V

Vgs - Gate-Source Voltage

1V @ 250uA

Техническая документация

Datasheet IRF7313 , pdf , 206 КБ

IRF7313TRPBF, Транзисто, HEXFET, 2N-канала, 30В, 6.5А [SOIC-8] - характеристики, поставщики

Последняя цена 48 руб.

Техническая документация