IRF7380TRPBF, Транзистор, HEXFET, 2N-канала, 80В, 3.6А [SOIC-8]
![IRF7380TRPBF, Транзистор, HEXFET, 2N-канала, 80В, 3.6А [SOIC-8]](/file/p_img/1772746.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IRF7380TRPBF
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность DUAL N, Максимальное напряжение сток-исток 80 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпус…
IRF7380PBF, Транзистор, 2N-канала 80В 3.6А [SO-8]
![IRF7380PBF, Транзистор, 2N-канала 80В 3.6А [SO-8]](/file/p_img/1772745.jpg)
Производитель: International Rectifier, IRF7380PBF
| Структура | 2n-канала |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.6 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.073 Ом/2.2А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Крутизна характеристики, S | 4.3 |
| Корпус | soic-8 |
IRF7351TRPBF, Транзистор HEXFET, 2N-канала 60В 8А [SO-8]
![IRF7351TRPBF, Транзистор HEXFET, 2N-канала 60В 8А [SO-8]](/file/p_img/1772744.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IRF7351TRPBF
| Структура | 2n-канала |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0178 Ом/8А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Крутизна характеристики, S | 18 |
| Корпус | soic-8 |
Dual N-Channel Power MOSFET, Infineon Infineon, полевые МОП-транзисторы с двойным питанием, объединяют два устройства HEXFET…
IRF7351PBF, Транзистор, 2N-канала 60В 8А [SO-8]
![IRF7351PBF, Транзистор, 2N-канала 60В 8А [SO-8]](/file/p_img/1772743.jpg)
Производитель: International Rectifier, IRF7351PBF
| Структура | 2n-канала |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0178 Ом/8А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Крутизна характеристики, S | 18 |
| Корпус | soic-8 |
Dual N-Channel Power MOSFET, Infineon Infineon, полевые МОП-транзисторы с двойным питанием, объединяют два устройства HEXFET…
IRF7350, Транзистор
Производитель: International Rectifier, IRF7350
| Структура | N/P-каналы |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.1/1.5 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 210/480 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Крутизна характеристики, S | 2.4/1.1 |
| Корпус | soic-8 |
IRF7343TRPBF, Транзистор N+P 55V 3.4A [SOIC-8]
![IRF7343TRPBF, Транзистор N+P 55V 3.4A [SOIC-8]](/file/p_img/1772741.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IRF7343TRPBF
| Структура | N/P-каналы |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.7/3.4 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.05 Ом/4.7А, 10В/0.105 Ом/3.4А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Крутизна характеристики, S | 7.9 |
| Корпус | soic-8 |
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N+P, Максимальное напряжение сток-исток 55 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 4…
IRF7343PBF, Транзисто, N/P-каналы 55В 4.7А/-3.4А [SO-8]
![IRF7343PBF, Транзисто, N/P-каналы 55В 4.7А/-3.4А [SO-8]](/file/p_img/1772740.jpg)
Производитель: International Rectifier, IRF7343PBF
| Структура | N/P-каналы |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.7/3.4 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.05 Ом/4.7А, 10В/0.105 Ом/3.4А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Крутизна характеристики, S | 7.9 |
| Корпус | soic-8 |
IRF7342TRPBF, Транзистор 2P-CH 55V 3.4A [SOIC-8]
![IRF7342TRPBF, Транзистор 2P-CH 55V 3.4A [SOIC-8]](/file/p_img/1772739.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IRF7342TRPBF
| Структура | 2p-канала |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.4 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.105 Ом/3.4А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Крутизна характеристики, S | 3.3 |
| Корпус | soic-8 |
P-канальные силовые полевые МОП-транзисторы от 40 до 55 В, Infineon Infineon, предлагает линейку дискретных мощных МОП-транз…
IRF7342D2PBF, Транзистор, P-канал+диод Шоттки -55В -3.4А [SO-8]
![IRF7342D2PBF, Транзистор, P-канал+диод Шоттки -55В -3.4А [SO-8]](/file/p_img/1772738.jpg)
Производитель: International Rectifier, IRF7342D2PBF
| Структура | p-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.4 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.105 Ом/3.4А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Крутизна характеристики, S | 3.3 |
| Корпус | soic-8 |
IRF7342PBF, Транзисто, 2P-канала 55В 3.4А [SO-8]
![IRF7342PBF, Транзисто, 2P-канала 55В 3.4А [SO-8]](/file/p_img/1772737.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IRF7342PBF
| Структура | 2p-канала |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.4 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.105 Ом/3.4А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Крутизна характеристики, S | 3.3 |
| Корпус | soic-8 |